作者 | 陳俊清
中微公司今日（5月13日）舉行2026年第一季度業績說明會。
中微公司董事長尹志堯于會上表示，通過有機生長和外延擴展，公司將在五年左右時間內，覆蓋60%以上的集成電路高端關鍵設備、70%以上的先進封裝設備，全面成長為國內領先、全球一流的集成電路設備平臺型公司。
早在多年前，中微公司便提出“三維立體發展戰略”，正式啟動平臺化轉型。依托刻蝕技術積累，公司向前道制程延伸布局薄膜、CMP、量檢測等核心工藝設備，同時拓展MOCVD、新型顯示等泛半導體領域。
刻蝕業務量價齊升 先進工藝實現大規模量產
作為公司基石業務，刻蝕設備成為一季度業績增長的核心驅動力。尹志堯介紹，公司針對先進邏輯、先進存儲器件制造的高端刻蝕產品新增付運量大幅提升，適配先進邏輯中段、存儲超高深寬比場景的多款關鍵刻蝕工藝已實現大規模量產。
尹志堯進一步表示，公司介質刻蝕產品持續保持高速增長，下一代90:1超高深寬比低溫刻蝕設備已付運客戶端開展驗證，目前公司已全面覆蓋存儲器刻蝕各類超高深寬比工藝需求，技術實力持續對標國際一線水平。
在鞏固刻蝕業務領先地位的同時，中微公司產品矩陣持續完善。薄膜設備方面，已成功開發出鎢系列薄膜沉積設備、ALD氮化鈦、ALD鈦鋁、ALD氮化鉭等產品，以及鉬金屬沉積設備等。
尹志堯透露，公司采用甚高頻去耦合的反應離子等離子體源的PECVD設備，搭配16個反應臺配置，與客戶的各項驗證工作順利進展中。新開發的CuBS PVD超多反應腔集成設備，相較國內外標配設備大幅降低BS的電阻率，輸出率提升50%至100%，獲得多家頭部客戶認可并已交付至國內先進邏輯器件研發線驗證。
先進封裝領域，中微公司目前已覆蓋的CCP和TSV設備等核心刻蝕設備已經批量交付，并已布局PVD、CVD、ECP、鍵合和量檢測等設備。
量檢測設備賽道上，中微公司通過投資和成立子公司布局了量檢測設備板塊。尹志堯表示，子公司超微公司引入多名國際頂尖的電子束量檢測設備領域專家，已規劃覆蓋多種量檢測設備產品。
產能端，中微公司在上海臨港的約18萬平方米的生產和研發基地已于2024年8月正式投入使用，臨港二期約20萬平方米的生產和研發基地擬于2026年下半年開工建設。
外延并購疊加內生布局 平臺化戰略全面提速
自“三維立體發展戰略”落地以來，中微公司堅持“有機生長+外延擴展”雙輪驅動策略，2026年該戰略落地成效凸顯。
外延拓展方面，5月13日，中微公司公告收到證監會批復，同意公司發行股份及支付現金購買杭州眾硅電子64.69%股權，并募集配套資金不超過15億元的注冊申請。尹志堯在業績會上表示，對杭州眾硅的收購落地，標志著中微向“集團化、平臺化”發展邁出關鍵一步。
值得注意的是，本次并購從受理到注冊生效僅用時10個工作日。標的公司杭州眾硅是國內少數掌握12英寸高端化學機械拋光（CMP）設備核心技術且實現量產的企業，其主營的CMP濕法工藝設備，可與中微公司現有刻蝕、薄膜沉積等干法設備形成互補。
內生研發方面，公司當前同步推進六大類、超二十款新設備研發。目前已落地LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS、PECVD等全系列薄膜設備產品，多款適配先進邏輯、先進存儲制程的LPCVD、ALD設備已實現市場化交付；刻蝕設備更是完成65nm至3nm及更先進工藝節點的全覆蓋。
談及新品研發提速，尹志堯向《科創板日報》記者表示，公司已實現核心技術模塊化、成熟化，新品研發僅需針對性開發30%-40%的定制化模塊，剩余60%-70%的通用技術、結構組件均可復用成熟技術，降低研發成本、縮短研發周期。
同時，人工智能、數字仿真技術在研發設計中的深度應用，進一步提速產品迭代；公司與下游頭部晶圓廠深度綁定，客戶新品導入意愿持續增強，有效縮短設備驗證、量產周期。
此外，公司通過增資核心子公司進行產業布局。工商信息顯示，中微半導體設備（四川）有限公司注冊資本已由1億元增至10億元。尹志堯透露，中微成都將面向高端邏輯及存儲芯片，開展化學氣相沉積設備、原子層沉積設備及其他關鍵設備的研發和生產工作。
