近日，#三安光電 旗下湖南三安宣布，歷經(jīng)三年專項(xiàng)攻關(guān)，成功實(shí)現(xiàn)低電阻碳化硅襯底技術(shù)突破，成為全球少數(shù)掌握該核心技術(shù)的企業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品已具備量產(chǎn)能力，將為AI服務(wù)器電源、新能源汽車等高端應(yīng)用提供關(guān)鍵材料支撐。
當(dāng)前，AI數(shù)據(jù)中心與云計(jì)算產(chǎn)業(yè)快速擴(kuò)張，服務(wù)器電源成為影響數(shù)據(jù)中心PUE值及運(yùn)營(yíng)成本的核心部件。行業(yè)主流電源需滿足80 PLUS鈦金級(jí)（效率≥96%）及以上能效標(biāo)準(zhǔn)，傳統(tǒng)硅基器件已逼近物理極限，難以兼顧高效率與小型化需求。
碳化硅作為硅基材料的理想替代，常規(guī)襯底電阻率約20mΩ?cm，降低電阻易引發(fā)層錯(cuò)、位錯(cuò)等缺陷，導(dǎo)致良率偏低、成本高企，制約其在服務(wù)器電源領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，碳化硅襯底電阻每降低1mΩ?cm，器件導(dǎo)通電阻可下降2%-4%，助力電源向超高效（98%-99%）、小尺寸方向發(fā)展。
此次技術(shù)突破中，#湖南三安 在晶體生長(zhǎng)、純度控制、缺陷抑制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)突破，將碳化硅襯底平均電阻率穩(wěn)定至11mΩ?cm，較傳統(tǒng)量產(chǎn)產(chǎn)品降低近一半，同時(shí)層錯(cuò)、位錯(cuò)、微管等核心指標(biāo)符合量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，解決了低電阻與高品質(zhì)難以兼顧的行業(yè)痛點(diǎn)。
可靠性驗(yàn)證方面，該低電阻碳化硅襯底已完成外延、器件全流程測(cè)試，首批配套芯片通過1000小時(shí)可靠性測(cè)試且零失效。目前，湖南三安已具備規(guī)模化量產(chǎn)能力，可按需供貨，客戶無需調(diào)整后段工藝即可實(shí)現(xiàn)無縫升級(jí)。
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