6月2日，中鋁乾星（成都）科技有限責任公司“2026年新建大尺寸先進化合物半導體襯底及高純材料中試平臺項目”環境影響評價征求意見稿正式公示，此前該項目已于4月23日完成環評第一次公示，目前正處于公眾意見征集階段。
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根據公示文件，該項目選址位于成都市彭州市成都新材料產業化工園區，總投資3500萬元，規劃建設大尺寸先進化合物半導體襯底及高純材料制備中試平臺。項目核心研發內容為6英寸級別銻化鎵、磷化銦、氧化鎵襯底材料，以及高純硒、碲、鎘金屬材料的中試研發，明確不涉及碳化硅、氮化鎵兩種化合物半導體相關產能。
磷化銦（Indium Phosphide，化學式 InP）是由銦（In）與磷（P）構成的 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導體，屬于第二代半導體材料，常溫下呈銀灰色固體。
作為光通信領域不可替代的戰略材料，磷化銦是 800G/1.6T/3.2T 高速光模塊中 EML（電吸收調制激光器）、DFB（分布式反饋激光器）芯片的核心襯底，廣泛應用于AI數據中心光互聯、長距離光纖通信、自動駕駛 1550nm 激光雷達及低軌衛星通信等領域。當前，6英寸磷化銦襯底已成為行業主流，大尺寸、低缺陷、高均勻性是產業發展核心方向。
建設規劃顯示，該項目計劃于2026年12月建成并投入運行，建成后將形成化合物半導體襯底與高純金屬材料的中試研發能力，填補區域相關領域中試環節空白。
公開資料顯示，#中鋁乾星 為中鋁集團旗下專注稀有/稀散金屬（鎵、鍺、銦、硒、碲等）的高端材料平臺，2026年2月，中鋁乾星已與成都市、中鋁科學院簽署戰略合作協議，圍繞稀有金屬材料產業高質量發展，在蓉布局“兩基地一中心”，推進有色金屬產業鏈項目合作。
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