6月11日,由中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟、機械工業(yè)出版社、中國電工技術學會科技傳播與出版專委會聯(lián)合主辦的“寬禁帶半導體大講堂第七期——SiC如何定義下一代固態(tài)變壓器(SST)?”在機械工業(yè)出版社融媒體中心成功舉辦!活動得到了中關村聯(lián)盟聯(lián)合會的大力支持,同時也得到了蔻享學術、科研云等多家媒體的合作宣傳,線上線下觀看直播人數(shù)超2.3萬人次,精彩內容可通過【寬禁帶聯(lián)盟】視頻號觀看直播回放。
本次活動邀請到清華大學新型電力系統(tǒng)運行與控制全國重點實驗室、能源互聯(lián)網(wǎng)研究院副研究員李馳、西安交通大學副教授、博士生導師王威望、華北電力大學教授、博士生導師許建中、中金公司研究部半導體行業(yè)研究員、副總經(jīng)理成喬升4位專家,圍繞SiC賦能SST關鍵技術、SST中高頻固態(tài)變壓器的絕緣與可靠性、數(shù)據(jù)中心固態(tài)變壓器電磁暫態(tài)建模仿真以及高壓架構下功率半導體市場分析等內容展開深度交流。
清華大學新型電力系統(tǒng)運行與控制全國重點實驗室、能源互聯(lián)網(wǎng)研究院副研究員李馳作報告分享清華大學新型電力系統(tǒng)運行與控制全國重點實驗室、能源互聯(lián)網(wǎng)研究院副研究員李馳在《SiC賦能SST:關鍵技術與展望》的主題發(fā)言中討論了高頻變換在實現(xiàn)SST緊湊化優(yōu)勢中的關鍵作用,分享了SST的發(fā)展歷程、廣泛的應用領域(包括數(shù)據(jù)中心、配電網(wǎng)和交通)以及未來前景。他還提到了在高鐵牽引、光伏和深海供電項目中的實踐經(jīng)驗,強調了高效控制、系統(tǒng)保護和高壓碳化硅模塊在SST中的重要性。 他指出,SST具有多端互聯(lián)、高效緊湊的優(yōu)點,在多個領域有很好前景,SST是一個高度集成的系統(tǒng),需從器件、封裝、控制、拓撲綜合優(yōu)化。西安交通大學副教授、博士生導師王威望在《SST中高頻固態(tài)變壓器的絕緣與可靠性分析》的主題發(fā)言中指出,盡管電力變壓器技術歷史悠久,但在應對企業(yè)發(fā)展的迫切需求和新能源發(fā)展的重大責任時,仍面臨多維度挑戰(zhàn)。為了提升頻率、減小體積、增強功率,設計中必須綜合考慮隔離性、材料特性和頻率選擇,同時在保證密度的同時優(yōu)化變壓器設計與實驗。此外,他討論了高頻條件下對散熱和絕緣的高要求,以及在高速運行中維持設備可靠性的重要性,強調了材料選擇、設計方法及高效散熱技術的關鍵作用。他強調,在高強度、高密度應用條件下,確保變壓器可靠性與優(yōu)化設計的挑戰(zhàn)及解決方案,對于推動技術進步和滿足未來需求至關重要。華北電力大學教授、博士生導師許建中在《數(shù)據(jù)中心固態(tài)變壓器電磁暫態(tài)建模仿真》的主題發(fā)言中討論了仿真技術在數(shù)據(jù)中心、固態(tài)變壓器以及電子站臺設計中的關鍵作用。他提出了一套基于等值建模與并行計算的高效電磁暫態(tài)仿真方法,成功解決了數(shù)據(jù)中心固態(tài)變壓器因結構復雜和高頻開關導致的仿真速度慢問題,實現(xiàn)了數(shù)百倍的加速效果,并為AI數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的仿真分析提供了有力支撐。他強調,隨著我國算力樞紐建設和AI基礎設施的快速發(fā)展,新一代AI中心供電系統(tǒng)架構中,固態(tài)變壓器作為電源變壓器的重要發(fā)展方向,體現(xiàn)了技術創(chuàng)新的重要性,并對新能源、充電站等未來應用領域表達了樂觀展望。中金公司研究部半導體行業(yè)研究員、副總經(jīng)理成喬升作報告分享中金公司研究部半導體行業(yè)研究員、副總經(jīng)理成喬升在《高壓架構下功率半導體市場展望》的主題發(fā)言中認為碳化硅在數(shù)據(jù)中心等領域的市場空間廣闊,建議持續(xù)關注相關領域。 他深入分析了碳化硅在數(shù)據(jù)中心應用的技術細節(jié),包括800伏架構的采用、電力電子器件的應用需求變化,以及如何通過技術改造提高數(shù)據(jù)中心的功率密度和效率。他提出了未來數(shù)據(jù)中心架構的四個發(fā)展階段,描繪了從目前到2030年碳化硅器件在數(shù)據(jù)中心應用的市場規(guī)模預期。 通過探討SST(固態(tài)變壓器)的引入對碳化硅器件需求的影響,以及不同發(fā)展階段碳化硅器件用量的預測,成喬升指出了碳化硅行業(yè)在數(shù)據(jù)中心市場具有巨大潛力。在圓桌討論環(huán)節(jié),來自現(xiàn)場和線上的觀眾紛紛踴躍發(fā)言提問,參會嘉賓針對大家提出的普遍關注的技術和市場問題進行了現(xiàn)場解答。Q1:10kV、20kV和35kV高頻變壓器的絕緣要求分別是怎樣的?A1:(王威望)關于10kV、20kV和35kV高頻變壓器的絕緣要求,目前行業(yè)內還沒有專門針對高頻工況的統(tǒng)一標準。現(xiàn)階段的做法,大多是參照中壓低頻系統(tǒng)的絕緣要求來進行設計。比如說:對于10kV系統(tǒng),參考的工頻耐壓要求通常在35kV左右;對于35kV系統(tǒng),參考的工頻耐壓要求在70kV左右。但這些標準是基于傳統(tǒng)工頻變壓器制定的,而SST的工作頻率遠高于工頻,其電壓波形、上升沿陡度、重復應力等都與工頻情況有很大差異。因此,直接沿用工頻標準是否合理,目前業(yè)內還在討論和研究當中。據(jù)我了解,已經(jīng)有相關機構在著手制定專門針對高頻變壓器的絕緣標準和試驗規(guī)范。我個人認為,未來的標準一定會結合固態(tài)變壓器的實際工況來進行調整和完善。Q2:中高壓碳化硅器件在固態(tài)變壓器的未來應用前景怎么樣?中高壓碳化硅器件能夠減少電平數(shù),簡化拓撲,但也存在成本、諧波應力、電磁兼容、可靠性等問題,低壓碳化硅器件甚至IGBT器件級聯(lián)是否夠用?A2:(李馳)采用中高壓SiC器件,確實可以顯著減少SST的級聯(lián)模塊數(shù)量,簡化拓撲結構、縮小整機體積、提升功率密度。但也存在一個關鍵問題:目前常見的高壓器件,其導通損耗和開關損耗往往大于N個低壓器件串聯(lián)后的等效損耗之和。所以,雖然級聯(lián)數(shù)減少了,但單個器件的損耗可能反而更大,最終導致整體性能出現(xiàn)劣化。所以,未來一方面,是繼續(xù)攻關高壓器件本身——包括改進器件設計和封裝工藝,努力降低高壓器件的導通電阻和開關損耗,讓它在性能上真正優(yōu)于低壓級聯(lián)方案。另一方面,是堅持低壓級聯(lián)路線,并不完全放棄。事實上,國際上也有兩種典型探索:比如ETH Zurich,他們采用10kV SiC器件做出了非常緊湊的SST樣機,代表了高壓路線的可行性。美國公司Enphase,最早做光伏逆變器的公司,則用GaN器件,通過300多個模塊串聯(lián)的方式來做SST。他們的思路是用極大的模塊數(shù)量來換取系統(tǒng)的冗余度和可靠性。所以,我認為目前業(yè)內對這兩條路線還沒有形成定論。從我個人的觀察來看,如果單純從功率密度的角度衡量,高壓SiC可能更有優(yōu)勢。但從成本角度來看,目前1.2kV的SiCMOSFET和1.2kV的SiC IGBT價格已經(jīng)不相上下,而3.3kV及以上的中高壓器件,由于缺少大規(guī)模應用場景,價格仍然居高不下。因此,中高壓器件的規(guī)模化應用可能還有一段較長的路要走。Q3:就半導體器件的應用市場來說:AI數(shù)據(jù)中心與SST能達到什么體量?與汽車行業(yè)、新能源發(fā)電等行業(yè)對比來說。A3:(成喬升)現(xiàn)在考慮市場的體量應該從兩塊來看,第一塊是實際器件的容量,理論上,我們可以從數(shù)據(jù)中心每一級功率變換的拓撲結構、器件選型入手,自下而上地累加出碳化硅器件的總需求量。但這里有一個很大的不確定性——正如李馳老師剛才提到的,中高壓碳化硅器件目前產(chǎn)業(yè)化進度較慢,短期內價格可能仍然偏高。未來的市場空間,本質上等于用量乘以單價。而單價這個變量,又會隨著規(guī)模擴大和工藝進步而快速下降。比如,目前3.3kV的SiC器件,芯片面積大約在4×4mm的量級;未來如果溝槽型、超結等新結構成熟,單個晶圓上能切割出的芯片數(shù)量會大幅提升,成本也會隨之顯著降低。所以,未來的單價存在較大的下行空間。第二,是與汽車、新能源發(fā)電等行業(yè)的體量對比。從我們初步的研究結論來看,SiC在AI數(shù)據(jù)中心的應用可能性,有可能達到與汽車行業(yè)類似的體量級別,二者不會是數(shù)量級的差距。有些人認為數(shù)據(jù)中心的市場空間不大,但我認為這可能還沒有充分考慮到未來SST以及機房側應用起來之后的彈性空間。但這個數(shù)字確實現(xiàn)在我覺得也不好具體給,可能相比新能源發(fā)電會大一些,綜合來看,我認為這至少是一個幾十億美元級別的市場。“在家都是問號,出門才有答案”,寬禁帶半導體大講堂通過線下+線上同步直播的形式,讓觀眾與科學家、企業(yè)家、投資家等能夠面對面充分互動,點對點精準交流,打造科學界、產(chǎn)業(yè)界與資本圈之間的信息交流平臺。未來聯(lián)盟將繼續(xù)為寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的專家和企業(yè)提供更多交流和學習的機會,為寬禁帶半導體事業(yè)的高質量發(fā)展助力賦能,為構建產(chǎn)業(yè)生態(tài)化和生態(tài)產(chǎn)業(yè)化硬科技圈奉獻可持續(xù)源動力!