當地時間 6 月 14 日，韓國召開緊急經濟指揮部會議，敲定超級創新經濟項目細則，正式發力下一代功率半導體技術研發。
該項目由韓國政府出資 5000 億韓元（約 22.3 億元人民幣），疊加民間配套資金后，總規模達 7500 億韓元（約 4.94 億美元）。韓國已將功率半導體提升至與存儲芯片同等重要的核心戰略產業地位，計劃在 6 月內敲定下一代功率半導體商業化技術路線圖，推動產業鏈企業參與材料、器件、模塊至系統演示的全流程研發。
此次研發重點聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN） 等第三代化合物半導體。韓國產業部門已組建專項工作組，著手升級釜山、浦項等地半導體專業園區及晶圓廠。在本次會議中，下一代功率半導體還與小型模塊化反應堆、AI 傳感器一同，被列為韓國未來經濟增長的核心引擎。韓國副總理兼經濟財政部長官具允哲表示，將依托相關創新項目挖掘新的增長動力。
功率半導體是電能轉換與控制的核心器件，廣泛應用于 AI 數據中心、新能源汽車、智能電網等領域。相比傳統硅基半導體，SiC、GaN 材料具備耐高壓、耐高溫、高頻性能優異等優勢，能夠有效提升數據中心能效、延長新能源車續航、保障電網穩定運行。
行業層面，全球功率半導體已進入景氣上行周期。受成熟制程晶圓產能收縮、AI 算力需求激增影響，市場呈現結構性緊缺，MOSFET 及第三代半導體器件價格接連上調。同時，AI 服務器 800V 高壓直流、固態變壓器等新興應用，進一步拉動高端功率器件需求，SiC、GaN 市場迎來高速發展階段。
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