ROHM開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低損耗的650V耐壓IGBT

2026年6月25日，全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布，開發(fā)出650V耐壓第4代IGBT*1，新產(chǎn)品非常適用于車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業(yè)設備用變頻器等應用。作為支持車載應用的650V級產(chǎn)品，實現(xiàn)了業(yè)界超低導通損耗VCE(sat)=1.55V，同時具備出色的短路耐受能力*2，符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101*3。

該產(chǎn)品通過改善工藝以及包括外圍結構在內(nèi)的器件結構，提高了電流密度，同時降低了導通損耗和開關損耗。而且，與低損耗特性之間存在權衡關系的高短路耐受能力在Tj=25℃時也可達到7微秒(μs)。因此，新產(chǎn)品非常有助于應用產(chǎn)品進一步提高效率和可靠性。

產(chǎn)品陣容包括采用TO-247N封裝的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12個型號和裸芯片形式的“SG83xxWN”10個型號。另外，ROHM也正在開發(fā)TO-247-4L封裝的“RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR”12個型號的產(chǎn)品。

本系列產(chǎn)品已于2026年5月起以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格1,300日元/個，不含稅)。TO-247N封裝產(chǎn)品也支持網(wǎng)售。此外，ROHM還提供各種設計模型和電路設計所需的資料，用戶可從ROHM官網(wǎng)下載。

ROHM計劃今后進一步擴展同一封裝形式的型號陣容，并開發(fā)采用TO-263L封裝和頂部散熱(TSC：Top-Side  Cooling)封裝的小型且可表面貼裝的IGBT產(chǎn)品。致力于通過擴充高性能的IGBT產(chǎn)品陣容，助力汽車和工業(yè)設備應用實現(xiàn)高效驅動及小型化。

隨著電動汽車向更高電壓方向發(fā)展，在主驅逆變器等大功率應用中，高效SiC器件加速普及;而在車載電動壓縮機、HV加熱器等功率容量較小的輔助設備中，則廣泛采用650V耐壓的IGBT作為開關器件。另外，在工業(yè)設備領域，以電機和壓縮機等為主的應用中也廣泛采用硅基IGBT，預計未來相應的需求將持續(xù)增長。

這類應用需要更節(jié)能和更小的外殼尺寸，同時對功率器件也有提高可靠性、更小型、更高效的強烈需求。特別是對于變頻器和加熱器電路而言，在短路時從檢測到過電流到切斷電流的時間內(nèi)的短路耐受能力至關重要。在這種背景下，ROHM通過器件結構等的改進，開發(fā)出既支持高電壓，又同時實現(xiàn)了低損耗特性和出色短路耐受能力的第4代IGBT。

分立產(chǎn)品

裸芯片產(chǎn)品

◇車載電動壓縮機

◇車載HV加熱器(PTC加熱器，冷卻液加熱器)

◇工業(yè)設備用變頻器

ROHM官網(wǎng)提供各種電路設計所需的資料，包括可通過仿真忠實再現(xiàn)產(chǎn)品電氣特性的SPICE模型，以及電路仿真用的PLECS模型等，均可從官網(wǎng)下載。更多詳情請參閱Field  Stop Trench IGBT產(chǎn)品信息。

EcoIGBT?是ROHM開發(fā)的非常適用于功率元器件領域對耐壓能力要求高的應用的IGBT，是包括器件和模塊在內(nèi)的品牌名稱。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發(fā)功率元器件產(chǎn)品升級所必需的技術。

?EcoIGBT?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

*1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管)

同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管。

*2) 短路耐受能力

當負載等短路時，功率元器件能夠承受而不至于損壞的時間。

*3) 車規(guī)標準“AEC-Q101”

AEC是Automotive Electronics  Council的縮寫，是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是適用于分立半導體元器件(晶體管、二極管等)的標準。