仿真技巧 | Ansys SIwave中使用IBIS模型進(jìn)行DDR仿真的方法

仿真需要微處理器和內(nèi)存顆粒，關(guān)注的信號網(wǎng)絡(luò)包括DQ、DQS、Clock以及Address。仿真開始前，需要將IBIS文件復(fù)制到IBIS-Driven的驅(qū)動目錄下，該目錄默認(rèn)路徑是：C:\Program Files\AnsysEMv221\Win64\buflib\IBIS，完成之后打開.siw文件：某電子產(chǎn)品的幾何模型如下圖所示。

2、信號分組

首先為信號分組，先在Power/Ground欄下點(diǎn)擊Auto identify自動識別電源地信號線，然后點(diǎn)擊Differential nets欄，識別差分對信號，點(diǎn)擊Auto identify進(jìn)入設(shè)置窗口，分別輸入識別差分信號+和-的對應(yīng)符號，點(diǎn)擊Auto identify。

3、進(jìn)入DDR仿真工作流程

設(shè)置好之后點(diǎn)擊Simulation菜單欄下的DDR wizard按鈕，進(jìn)入到DDR仿真工作流程。

4、DDR Type下拉菜單可以選擇對應(yīng)的信號接口，目前支持從DDR3 到GDDR6等多種接口。然后選擇對應(yīng)的信號速率，勾選需要仿真的信號以及對應(yīng)的DQS和時鐘。（若不使用IBIS模型，可勾選底部Ideal Components。）

5、點(diǎn)擊Settings進(jìn)入如下窗口，將ODT和DRV長度設(shè)置為48，點(diǎn)擊OK。設(shè)置完成后點(diǎn)擊Next進(jìn)入下一流程：

6、在IBIS Setup欄的IBIS Component下拉列表中選擇對應(yīng)的IBIS模型：

點(diǎn)擊DQ/DQS Write Mode欄，將IBIS模型的分配方式改為Net Group：

點(diǎn)擊DQ/DQS Read Mode欄，修改器件類型和IBIS模型信息，如下：

7、然后設(shè)置電源，有兩種方式可選：理想電源和非理想電源。理想電源設(shè)置簡單，仿真速度也更快，但不包含SSO噪聲和PDN阻抗信息；非理想電源仿真時間長，仿真結(jié)果包含SSO噪聲和PDN阻抗，對于Drivers必須使用IBIS模型。接下來介紹使用非理想電源仿真的方法。

點(diǎn)擊Next進(jìn)入到VRM參數(shù)設(shè)置窗口，構(gòu)建VRM模型。VDD選擇G43225-001，電源線改為BST_V3P3_S5，VTT選擇E17764-001。點(diǎn)擊Next。

8、進(jìn)入到仿真設(shè)置窗口：勾選Use Touchstone model，勾選Plot Receiver Waveforms和Plot Power Rail Waveforms。然后點(diǎn)擊Edit按鈕設(shè)置S參數(shù)掃描頻率，設(shè)置好點(diǎn)擊OK退出。

9、在DDR wizard窗口點(diǎn)擊OK開始仿真，仿真完成后會提取出S參數(shù)，并自動轉(zhuǎn)到AEDT界面生成Schematic。

為了避免不必要的PDN噪聲，需要添加電容，將代表電源的三個引腳的復(fù)制到旁邊，然后在Component Libraries中選擇電阻和電容添加到電路圖。

然后將新繪制的電路圖復(fù)制到Write Mode的Schematic中：

10、在DDR wizard窗口點(diǎn)擊OK開始仿真，仿真完成后會提取出S參數(shù)，并自動轉(zhuǎn)到AEDT界面生成Schematic。對于Read Mode和Write Mode設(shè)計(jì)，分別右鍵點(diǎn)擊Analysis，選擇Analyze，運(yùn)行仿真。仿真完成后即可在Result中查看仿真結(jié)果。