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芯片圈
華為發布V2版“韜定律”論文
據中國科學院科技論文預發布平臺 ChinaXiv 最新刊載，華為半導體業務負責人何庭波于7月3日發布了《面向多層級電子系統的時間縮微理論》（業內亦稱"韜定律"）V2版本。
北大團隊，芯片新突破
北京大學楊玉超團隊聯合中科院上海微系統所宋志棠團隊，成功研制出全球首款基于相變憶阻器的神經動力學系統芯片，首次將單步運算時延壓縮至2.12毫秒，較先進GPU提速最高478倍，突破了神經動力學實時計算長達半個世紀的瓶頸。成果發表于《科學》。
團隊利用相變存儲器"電導漂移"特性，提出"可控存內計算"新范式，將核心運算直接編碼為器件物理電導演化，在存儲單元內原位完成，避免了傳統架構的數據搬運損耗。該芯片采用40納米工藝，面積僅0.28平方毫米，較專用加速器提速最高36倍、功耗降低最高24倍，在腦皮層重建任務中較NVIDIA A100 提速478倍。
楊玉超指出，該芯片為腦機接口、腦疾病診療及個體化腦數字孿生提供了實時硬件底座，在術中神經導航、阿爾茨海默癥早篩等領域應用潛力巨大。
據業內人士稱，隨著AI半導體需求持續升溫，全球大型科技公司訂單不斷增加，三星電子晶圓代工部門已針對部分制程啟動配額機制（allocation），將有限產能優先分配給重要客戶及成熟制程，現有客戶訂單保障供應，新客戶則選擇性承接。
據報道，三星晶圓代工4nm工藝產能已基本售罄，甚至明年產能也已排滿，部分8nm工藝產能同樣接近滿載。不止三星電子本身，其晶圓代工生態系統內的主要韓國設計公司（DSP）也出現了類似的供需緊張態勢。
業內人士認為，臺積電先進工藝供應短缺，促使大型科技公司加速推進供應鏈多元化。此前因良率問題轉向臺積電的部分客戶，如今正重新評估三星代工，或將其納入第二供應商體系，以分散供應鏈風險，并增強芯片采購議價能力。
新產品
東芝推出80V N溝道功率MOSFET
東芝推出采用東芝最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的80V N溝道功率MOSFET——TPM1R408RH。
TPM1R408RH采用優化的器件結構，實現了1.4mΩ（最大值）的漏源導通電阻，與采用上一代U-MOS X-H工藝制造的東芝80V產品“TPM1R908QM”相比降低約26%。此外，該產品還改善漏源導通電阻（RDS(ON)）與總柵極電荷（Qg）之間的平衡，相較于TPM1R908QM，品質因數RDS(ON)×Qg約降低45%。這些特性達到了業界領先水平的低功耗損耗表現。該MOSFET面向AI數據中心和通信基站等工業設備的開關電源。
南芯發布面向算力芯片供電的多相DrMOS電源方案
南芯科技推出 22V/60A DrMOS SD13050 與 雙路四相控制器 SD22442，專為 CPU/GPU/SoC 等算力芯片提供高效可靠的供電方案。兩款產品均提供工業級與通過 AEC-Q100 Grade 1 認證的車規級版本，滿足從數據中心、邊緣服務器到自動駕駛的廣泛計算需求。
DrMOS 采用合封或單 die 技術，將驅動器與功率 MOSFET 集成于單一封裝，兼具小體積、低寄生參數、快開關速度與低損耗等優勢，同時簡化 PCB 布局并提升熱管理效率，是空間受限、效率優先的高密度電源應用的理想之選。
Molex推出下一代 HSAutoLink G 汽車以太網連接器系統
Molex 莫仕推出全新 HSAutoLink G 連接器系統，采用緊湊的 USCAR 標準接口，支持高達 25Gbps 的多千兆以太網傳輸，為高級駕駛輔助系統（ADAS）、雷達、激光雷達（LiDAR）、區域架構、沉浸式顯示及中央計算模塊等應用提供充足的帶寬支持。
該系列涵蓋端子、連接器、印刷電路板（PCB）端板及電纜組件，嚴格遵循 USCAR 行業標準封裝尺寸，賦予汽車 OEM 及一級供應商真正的供應鏈靈活性與采購選擇權。其標準化兼容性依托于 Molex 莫仕全球化的制造布局與強大的工程支持體系，并經過大量真實環境模擬及嚴苛的可靠性測試驗證，確保在最惡劣的工作條件下依然保持最優性能。
芯原宣布推出 高性能攝像頭后處理 IP CPP2000，進一步擴展其圖像信號處理（ISP）解決方案的后處理能力。CPP2000 集成多項先進圖像處理技術，專為 ISP 輸出的 YUV 圖像提供深度優化。
該 IP 支持最高 8K 分辨率的圖像與視頻處理，并提供靈活的硬件配置選項，以滿足不同應用在功耗、性能、面積（PPA）及延遲等方面的差異化設計需求。
通過運動補償時域濾波、高級空域降噪、色度調節、動態對比度增強及邊緣增強等技術的協同作用，CPP2000 可對圖像噪聲、清晰度、對比度及細節表現進行綜合優化。這不僅提升了移動成像場景下的圖像穩定性與視覺表現，更為視覺感知與機器視覺等后續應用提供高質量的圖像輸入。
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