覆蓋 40-1200V！一文拆解安森美 GaNEXUS?的關(guān)鍵優(yōu)勢和應(yīng)用

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GaNEXUS?系列是安森美（onsemi）最新推出的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合，旨在為現(xiàn)代功率架構(gòu)提供更高的效率、更高的功率密度以及高速開關(guān)性能。在GaNEXUS的應(yīng)用領(lǐng)域中，氮化鎵能夠最大化地發(fā)揮系統(tǒng)級影響，從電源到負載，支持各類緊湊、高效的功率轉(zhuǎn)換。

憑借久經(jīng)考驗的電源設(shè)計、卓越的品質(zhì)以及全生命周期支持，GaNEXUS助力客戶構(gòu)建可靠且可擴展的解決方案，廣泛應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心、機器人與自動化、汽車電源系統(tǒng)以及能源基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

功率轉(zhuǎn)換是一個分階段進行的過程，從高壓配電到負載點調(diào)節(jié)。GaNEXUS應(yīng)用氮化鎵技術(shù)，通過提升開關(guān)頻率、功率密度和效率，從而在系統(tǒng)層面帶來顯著優(yōu)勢。

高頻率轉(zhuǎn)換

中間功率轉(zhuǎn)換

運動與執(zhí)行器供電

AI數(shù)據(jù)中心和云基礎(chǔ)設(shè)施

AI和云端電源系統(tǒng)需要在不同階段進行高密度、高頻率轉(zhuǎn)換。中低壓氮化鎵FET（40–200V）可實現(xiàn)緊湊型中間級和負載點供電，而高壓氮化FET（650V及以上）則支持高效的隔離式轉(zhuǎn)換。雙向和集成式氮化鎵技術(shù)為可擴展的下一代數(shù)據(jù)中心架構(gòu)提供支持，從電網(wǎng)到GPU，全面升級。

物理人工智能、機器人技術(shù)與工業(yè)電源

機器人和自動化系統(tǒng)需要緊湊、高效的電源，并具備精確的運動控制能力。中低壓氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET）可實現(xiàn)高頻電機驅(qū)動和伺服級，從而縮小體積并降低損耗。集成的氮化鎵驅(qū)動和智能解決方案通過增加保護和控制功能，簡化了設(shè)計，以支持響應(yīng)迅速、可靠的機器人平臺。

能源基礎(chǔ)設(shè)施

能源和工業(yè)系統(tǒng)需要在整個長生命周期內(nèi)保持高效、高可靠性的供電。高壓及未來的超高壓氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET）能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊型高頻率的轉(zhuǎn)換，這對于看重效率和體積的行業(yè)領(lǐng)域尤為重要。智能且可控的氮化鎵解決方案通過增加保護和監(jiān)控功能，簡化了設(shè)計并增強了系統(tǒng)的魯棒性。

汽車電氣化

從輔助系統(tǒng)到48V系統(tǒng)再到電氣化子系統(tǒng)，汽車電源架構(gòu)涵蓋多個電壓域。低壓和中壓氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET）支持緊湊型直流-直流轉(zhuǎn)換，而高壓氮化鎵解決方案則可實現(xiàn)高效的隔離式功率級。雙向和集成式氮化鎵器件通過提升效率和系統(tǒng)集成度，為新興的汽車架構(gòu)提供支持。

探索氮化鎵產(chǎn)品組合的細分產(chǎn)品。

• 中低壓GaNEXUS FET：高頻率40-200V氮化鎵HEMT，用于IBC、POL和電機驅(qū)動級。

• 高壓GaNEXUS FET：650V緊湊、高效的GaN HEMT，用于高頻率、隔離式轉(zhuǎn)換。

• GaNEXUS智能：GaN HEMT帶集成保護和感應(yīng)功能。

GaNEXUS能夠與安森美廣泛的電源產(chǎn)品組合無縫協(xié)作，提供涵蓋分立式、雙向及集成式電源解決方案的氮化鎵產(chǎn)品，以及先進的硅電源解決方案和EliteSiC?碳化硅產(chǎn)品。這些技術(shù)被部署在能夠發(fā)揮最大系統(tǒng)級效益并實現(xiàn)最佳權(quán)衡的領(lǐng)域。在結(jié)合Treo Platform?電源 IC用于柵極驅(qū)動、保護和電源管理，安森美幫助客戶設(shè)計從電源端到負載端的完整電源架構(gòu)，在性能、效率和可靠性方面實現(xiàn)最優(yōu)。