這家硅基氮化鎵相關企業，完成數億元股權融資！

據科創板日報報道，近日，星鑰半導體（武漢）有限公司完成數億元新一輪股權融資，本輪融資由鼎暉投資獨家投資。

#星鑰半導體 2022年成立，核心路線聚焦大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon），并結合混合鍵合技術開發Micro LED芯片。公司在武漢打造國內首條8英寸硅基氮化鎵Micro LED全流程中試產線，產線已順利通線，現階段實現單色Micro LED芯片批量生產。該產線打通氮化鎵外延生長、芯片制備、晶圓鍵合等整套工序，驗證了8英寸硅基氮化鎵平臺用于光電器件制造的可行性。

硅基氮化鎵是第三代半導體重要技術路線。相較于碳化硅基氮化鎵、藍寶石基氮化鎵方案，GaN-on-Si最大優勢在于能夠復用成熟8英寸硅晶圓制造體系，晶圓尺寸更大、原材料成本更低，具備大規模商業化降本潛力。傳統藍寶石襯底氮化鎵多用于常規LED制造，但受限于晶圓尺寸與集成難度，較難適配下一代光電異質集成需求；碳化硅基氮化鎵性能上限更高，但襯底價格昂貴，難以大規模普及。

長期以來，國內硅基氮化鎵產業化重心集中在功率器件與射頻芯片。隨著產業探索持續深入，行業開始嘗試將這套材料工藝延伸至光電器件領域。依托硅襯底可與CMOS驅動電路進行晶圓級混合鍵合的特性，硅基氮化鎵被視作Micro LED近眼顯示方案重要突破口，有望解決傳統路線巨量轉移難度高、集成成本居高不下的行業痛點。

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當前全球氮化鎵產業處于多元應用擴張階段。功率氮化鎵已經在快充、服務器電源、車載電源實現規模上量；射頻氮化鎵持續向通信基站、衛星終端滲透。與此同時，產業界持續拓寬氮化鎵應用邊界，探索“硅基氮化鎵+混合集成”路線在光電芯片的落地。多家國內企業布局8英寸硅基氮化鎵中試平臺，試圖打通電、光兩條應用賽道，最大化釋放產線價值。

不過8英寸硅基氮化鎵仍面臨不少工程難題。硅與氮化鎵之間天然存在晶格失配、熱失配問題，容易造成外延層翹曲、裂紋，影響外延片良率；晶圓級混合鍵合對平整度、應力控制提出嚴苛要求，相關工藝仍處于持續優化階段。

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