7月15日，韓國媒體報道，功率半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)RootSemicon與碳化硅專業(yè)晶圓制造商SK Powertec聯(lián)合研發(fā)的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET已完成首輪工程流片，平均良率達到80%。對于大尺寸高壓SiC MOSFET而言，在開發(fā)初期實現(xiàn)穩(wěn)定良率并非易事。
兩家公司于今年4月簽署了《SiC MOSFET代工產(chǎn)品開發(fā)合同》并啟動聯(lián)合開發(fā)。5月完成了1200V 11mΩ大尺寸SiC MOSFET的首次流片，6月29日順利完成首次晶圓下線。首輪工程流片隨即取得平均80%的良率。大尺寸高壓SiC MOSFET被認為是制造難度較高的產(chǎn)品類別，在初期開發(fā)階段實現(xiàn)高良率被視為設(shè)計優(yōu)化與工藝技術(shù)完善的重要標(biāo)志。
“SK Powertec優(yōu)秀的工藝技術(shù)能力，使我們在首輪工程流片中確保了80%的高良率，” RootSemicon表示?！?/span>我們將把此前依賴海外的SiC MOSFET生產(chǎn)基地轉(zhuǎn)移至國內(nèi)，實現(xiàn)真正意義上的半導(dǎo)體國產(chǎn)化，加速開拓全球市場。”
“與RootSemicon的緊密技術(shù)合作取得了成果，” SK Powertec表示。“在正式量產(chǎn)階段，我們將全力支持最高品質(zhì)和穩(wěn)定供應(yīng)，與RootSemicon共同引領(lǐng)全球功率半導(dǎo)體市場?！?/span>
此次合作使RootSemicon得以將此前完全依賴海外晶圓代工的生產(chǎn)據(jù)點轉(zhuǎn)移至韓國國內(nèi)的SK Powertec。此舉被認為有助于緩解全球供應(yīng)鏈不確定性，同時縮短產(chǎn)品交期、提升生產(chǎn)競爭力。SK Powertec也通過此次聯(lián)合開發(fā)驗證了其SiC晶圓代工工藝的競爭力。
該款1200V 11mΩ大尺寸SiC MOSFET主要面向電動汽車充電器等汽車電子市場。兩家公司計劃持續(xù)擴大車用SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，推進量產(chǎn)合作。
韓國媒體將此次進展評價為SiC功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的重要里程碑。在此之前，RootSemicon的SiC MOSFET生產(chǎn)完全依賴海外晶圓代工廠。通過將生產(chǎn)基地轉(zhuǎn)移至韓國國內(nèi)，兩家公司為韓國SiC功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定化和產(chǎn)業(yè)競爭力的提升奠定了基礎(chǔ)。
信息來源： 首爾新聞
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