7月14日，歐盟委員會正式發布公告，批準總額6.59億歐元德國國家補貼，支持四座歐洲首創半導體生產項目落地。其中德國中小企業Element 3-5 GmbH將獲得3.53億歐元直接資助，用于在北萊茵-威斯特法倫州巴斯韋勒（Baesweiler）建設碳化硅（SiC）外延晶圓生產工廠。
該項目代號為SiCnature，將打造歐洲首創的專業化SiC外延晶圓制造產線。SiC外延晶圓是在碳化硅襯底上生長高質量薄膜，是制造SiC功率器件的核心基礎材料。公告信息顯示，項目將采用創新制備工藝，對比傳統熱壁CVD方案，能夠提升生產能效、工藝良率與整體制造效率。產出的SiC外延晶圓計劃供給汽車電子、工業設備、通信及新能源等領域。
本次補貼資金由德國聯邦政府與北萊茵-威斯特法倫州地方財政共同出資。歐盟委員會認定，四座半導體項目均屬于歐洲首創生產線，補貼安排符合《歐洲芯片法案》發展目標，有助于增強歐盟半導體產業鏈自主供給能力。
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同期獲得補貼的企業還有三家：Vishay Siliconix Itzehoe GmbH獲得2.14億歐元，用于建設硅基功率MOSFET產線；KLA-Tencor MIE拿到7440萬歐元，布局先進光學套刻與薄膜量測設備生產線；KETEK GmbH獲得1790萬歐元，建設硅漂移探測器及特種芯片產線。
公開資料顯示，Element 3-5總部坐落于巴斯韋勒，聚焦寬禁帶半導體設備與外延工藝研發，主打面向SiC、氮化鋁、氮化鎵的外延量產系統。其外延設備方案支持垂直放置晶圓生產，追求薄膜均勻性與低顆粒污染，適配第三代半導體單晶外延量產需求。
從歐洲本土SiC產業現狀來看，區域內英飛凌、意法半導體等IDM大廠大多采用垂直整合模式，配套自用SiC外延產能，面向外部市場的獨立商業化SiC外延晶圓供給較為稀缺，大量外延材料依賴海外廠商進口。
近年依托歐盟芯片法案配套資金，歐洲持續加碼碳化硅全鏈條布局，安森美正在捷克建設覆蓋襯底、外延、器件制造的一體化8英寸SiC工廠，意法半導體在意大利打造集襯底、外延、晶圓制造于一體的碳化硅園區。但專門面向第三方客戶、獨立運營的專業化SiC外延產線數量較少，Element 3-5新項目建成后，將補齊歐洲第三方SiC外延產能短板。
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