

導(dǎo)語
這次想聊的,是理想 XPM 增程功率模塊,全稱eXtender Power Module,是一款面向雙增程+驅(qū)動(dòng)場景的雙電控功率模塊解決方案。
本文主要基于今年 7 月 TMC2026 國際動(dòng)力系統(tǒng)年會(huì)上,理想汽車動(dòng)力驅(qū)動(dòng)電力電子開發(fā)總監(jiān)袁寶成老師的公開分享,并結(jié)合個(gè)人對增程工況和功率模塊設(shè)計(jì)取舍的理解,做一次學(xué)習(xí)性的整理,以觀其團(tuán)隊(duì)背后的設(shè)計(jì)思考和方法,希望有所幫助。
為什么對這款XPM很感興趣?其實(shí)我在文章標(biāo)題已經(jīng)說明:理想最新 · XPM增程專用 · 雙電控 · 一體式功率模塊,定語很多、但沒有一個(gè)多余。|備注:有幸現(xiàn)場聽了袁老師報(bào)告,想說的是,我們這個(gè)行業(yè)真的很有趣
具體來說:理想在這里不是把兩個(gè)功率模塊簡單合在一起,而是從增程發(fā)電這個(gè)特定工況出發(fā),把芯片面積、Diode/IGBT 面積比、陶瓷基板、直流端子、冷板、產(chǎn)線節(jié)拍和電控系統(tǒng)成本一起重新算了一遍。
增程系統(tǒng)和普通主驅(qū)逆變器不一樣:發(fā)動(dòng)機(jī)主要用來發(fā)電,電機(jī)模式只在啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)等短時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。回到回到功率模塊里來看,功率模塊里 IGBT 和 Diode 承擔(dān)電流的方式,與傳統(tǒng)電驅(qū)模塊有明顯差異。如果仍然照搬通用 HPD 半橋模塊,就會(huì)出現(xiàn) IGBT 過設(shè)計(jì)、二極管不足、陶瓷基板浪費(fèi)、冷板和電控結(jié)構(gòu)被迫放大的問題。

所以,我們可以把理想的 XPM 看成一個(gè)“場景定義模塊”的樣本:
先識別增程發(fā)電的真實(shí)電流路徑,
再重配芯片面積,隨后把三相全橋、傳感器磁芯、全疊層端子和集成冷板壓進(jìn)同一個(gè)制造邊界里;
最后,它的收益不是只留在模塊內(nèi)部,而是繼續(xù)穿透到電控長度、重量、銅排、PCB、冷板制造和生產(chǎn)投資。
這篇文章我會(huì)沿著下面這幾個(gè)問題展開:
為什么增程發(fā)電不能直接用通用主驅(qū)模塊?XPM 如何重新分配 IGBT 和 Diode?
為什么三相一體陶瓷基板能降低成本?
全疊層端子怎樣把系統(tǒng)寄生電感壓到 10-14nH?
集成冷板為什么比看起來更重要?
以及這套方案背后真正的關(guān)鍵詞:全鏈條 DFMA,怎么構(gòu)成閉環(huán)?

01 核心觀察:XPM不是普通雙模塊合并
02 增程發(fā)電為什么不能照搬通用HPD模塊?
03 芯片面積與Diode/IGBT比例:成本和效率要一起算
04 三相一體式陶瓷基板:面積降下來,封裝才有機(jī)會(huì)重排
05 全疊層直流端子:10-14nH不是小修小補(bǔ)?
06 集成冷板短了30mm,真正收益在制造鏈?
07 電控系統(tǒng)收益:模塊變小以后,殼體、銅排和PCB一起變短
08 全鏈條DFMA:XPM真正回答的是制造費(fèi)用問題?
09 總結(jié):增程模塊會(huì)從通用模塊選擇走向場景定義
開始前先把 XPM 的對象講清楚。
它支持 IGBT 和 SiC 兩種版本,結(jié)構(gòu)上把兩個(gè)全橋集成在一塊水冷板上,模塊尺寸為 190mm x 90mm x 25.75mm。IGBT 版本里,驅(qū)動(dòng)模塊可覆蓋 430V/540Arms 和 800V/320Arms,發(fā)電模塊可覆蓋 430V/280Arms 和 800V/170Arms。

這些指標(biāo)背后,有幾個(gè)直接收益:
相對上一代雙 HPD 方案,IGBT 芯片面積降低 51%,F(xiàn)RD 芯片面積降低 33%,模塊長度降低 120mm,降幅約 38%;
進(jìn)一步放到電控里,長度可降低近 200mm,重量降低約 1.8kg。
但這里我們不想把它只理解成尺寸壓縮,尺寸只是結(jié)果,真正的起點(diǎn)是理想對增程工況的重新定義。我們第一性原理思考這個(gè)問題:增程車不是讓發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)械直驅(qū)車輪,而是讓發(fā)動(dòng)機(jī)作為發(fā)電源。因此,發(fā)電模塊長期工作的電流路徑,和傳統(tǒng)電驅(qū)主逆變器不一樣。
SysPro備注:所以 XPM 的第一層意義,是主機(jī)廠不再只按現(xiàn)成模塊選型,而是開始按自己的增程系統(tǒng)工況倒推功率模塊形態(tài)。模塊從“可采購器件”變成了整車能量系統(tǒng)里的定制化工程對象。
判斷 XPM 的技術(shù)價(jià)值,先不要從冷板和端子看,要先看電流到底怎么走。增程車?yán)铮l(fā)動(dòng)機(jī)主要用來發(fā)電,電機(jī)模式更多發(fā)生在啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)等短時(shí)間窗口。也就是說,發(fā)電模式才是這顆模塊的主要使用場景。
在電動(dòng)模式下,大部分時(shí)間電流經(jīng)過 IGBT,Diode 只在較短時(shí)間內(nèi)承擔(dān)續(xù)流,而且主要集中在中小電流區(qū)間;
發(fā)電模式正好相反,大部分電流會(huì)流過 Diode,IGBT 的導(dǎo)通時(shí)間反而變短。
這個(gè)差異決定了:如果把普通主驅(qū)模塊直接拿來做增程發(fā)電,IGBT 面積很容易過設(shè)計(jì)。

IGBT 過設(shè)計(jì)不只是成本問題,還會(huì)反過來惡化性能:
芯片面積大,驅(qū)動(dòng)所需電荷更大,每次開關(guān)都要付出更高驅(qū)動(dòng)損耗;
輸出電容也會(huì)更大,在中小負(fù)載下開關(guān)損耗更難壓。
換句話說,“多放 IGBT 芯片更保險(xiǎn)”在這個(gè)場景里不一定成立,甚至可能是錯(cuò)誤方向。
所以 XPM 的第一個(gè)技術(shù)動(dòng)作,就是重新分配 IGBT 和 Diode 面積:
IGBT 面積相比標(biāo)準(zhǔn) HPD 明顯減少,印象中袁老師提到理想因此從三顆芯片降到一顆芯片;Diode 則因?yàn)榘l(fā)電模式長時(shí)間承流,需要適當(dāng)增加面積來降低導(dǎo)通損耗。
但 Diode 也不能無限加大,這是因?yàn)椋篋iode 面積過大,反向恢復(fù)損耗會(huì)增加,也會(huì)抬高 IGBT 開通損耗。
因此,最終合理方案不是單邊放大,而是在 Diode 導(dǎo)通損耗、反向恢復(fù)、IGBT 開通損耗、電流能力和成本之間找平衡。

SysPro備注:增程發(fā)電模塊不能沿用通用主驅(qū)模塊的芯片比例。它必須先回到發(fā)電工況的電流路徑,再?zèng)Q定 IGBT 和 Diode 各自應(yīng)該多大。


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