用GaN工藝挑戰(zhàn)TI、NXP快充芯片霸主地位

臺積電永遠(yuǎn)有一顆躁動的心，他不滿足只做晶圓代工，而是要用自己的工藝優(yōu)勢去顛覆一些業(yè)界常態(tài)。這次他們看好快充電源管理IC市場潛力，協(xié)同合作夥伴Dialog半導(dǎo)體（Dialog Semiconductor），將于明年第1季推出首顆氮化鎵（GaN）手機快充芯片，挑戰(zhàn)快充芯片龍頭德州儀器（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。

喧騰已久氮化鎵工藝，臺積電終于宣布跨入氮化鎵先進工藝，為合作客戶德商Dialog量身打造，采用6寸、0.5微米、650V硅上氮化鎵（GaN-On-Silicon）工藝技術(shù)，生產(chǎn)首顆氮化鎵手機快充芯片，預(yù)計在明年第1季產(chǎn)出，該芯片具備體積縮小、效能提高、充電時間減半等優(yōu)勢，適用于手機及平板等行動快充，將挑戰(zhàn)業(yè)界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。

據(jù)悉，臺積電在氮化鎵領(lǐng)域布局已久，技術(shù)也相當(dāng)成熟，不過，因客戶考量成本及下游應(yīng)用問題，對氮化鎵工藝需求不高，還是以傳統(tǒng)硅工藝為主，因此，臺積電也僅能按兵不動、等待時機。如今手機快充應(yīng)用逐漸浮上臺面，手機芯片聯(lián)發(fā)科及高通相繼力推快充規(guī)格，展訊及海思也推出快充規(guī)格因應(yīng)，而三星也推出支援Galaxy全系列智能手機的快充功能，蘋果也將加入快充行列，快充市場逐漸成熟，臺積電適時大展拳腳。

業(yè)界表示，采用氮化鎵工藝生產(chǎn)芯片除可應(yīng)用于手機快充，還可大幅縮減筆電外接電源供應(yīng)器體積，未來應(yīng)用于伺服器、車用及智能電網(wǎng)等市場商機龐大。因此，相關(guān)電源管理IC解決方案的國際芯片大廠德儀、恩智浦及英飛凌等早已備妥相關(guān)電源管理IC方案，推出芯片多以氮化鎵工藝生產(chǎn)，此次，臺積電與Dialog合作，除了挑戰(zhàn)霸主地位，更展現(xiàn)臺積電在氮化鎵工藝成熟技術(shù)，向相關(guān)電源管理IC廠客戶招手。

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