HBM 是 GDDR 存儲器的替代品，可用于 GPU 和加速器。GDDR 存儲器旨在以較窄的通道提供更高的數據速率，進而實現必要的吞吐量，而 HBM 存儲器通過 8 條獨立通道解決這一問題，其中每條通道都使用更寬的數據路徑（每通道 128 位），并以 2Gbps 左右的較低速度運行。因此，HBM 存儲器能夠以更低的功耗提供高吞吐量，而規格上比 GDDR 存儲器更小。HBM2 是目前該類別中最常用的標準，支持高達 2.4Gbps 的數據速率。
HBM2 DRAM 最多可疊加 8 個 DRAM 晶圓（包括一個可選的底層晶圓），可提供較小的硅片尺寸。晶圓通過 TSV 和微凸塊相互連接。通常可用的密度包括每個 HBM2 封裝 4 或 8GB。
除了支持更多的通道外，HBM2 還提供了一些架構更改，以提高性能并減少總線擁塞。例如，HBM2 具有“偽通道”模式，該模式將每個 128 位通道分成兩個 64 位的半獨立子通道。它們共享通道的行和列命令總線，卻單獨執行命令。增加通道數量可以通過避免限制性時序參數（例如 tFAW）以在每單位時間激活更多存儲體，從而增加整體有效帶寬。標準中支持的其他功能包括可選的 ECC 支持，可為每 128 位數據啟用 16 個錯誤檢測位。
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