當下，DDR5內存還遠未到要主流普及的程度。不過，DRAM內存芯片的頭部廠商們已經著手DDR6研制了。
日前在韓國水原舉辦的一場研討會上，三星測試與系統封裝副總裁Younggwan Ko表示，為適配半導體存儲產品的性能的增長，封裝技術必須不斷進步。
會上，他明確，在DDR6內存芯片的開發中，三星將使用MSAP，也就是改良型半加成工藝(Modified semi-additive process)。
資料顯示，MSAP起初應用于IC載板高精密線路制作，技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合干膜使用正片進行圖形轉移，再通過圖形電鍍加成形成線路，最后去除干膜和底銅完成高精密布線，以實現提升PCB的高頻高速性能。
和當前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要鍍層。
Ko指出，DDR6的存儲容量和處理速度將大幅增加，需要更多的堆疊層數，對封裝技術來說既是機遇也是挑戰。
另外，Ko也坦言，友商（SK海力士）已經先于自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術了。
事實上，雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大，但三星在技術開發上的確出現落后，拋開上文的MSAP，1a DRAM芯片量產進度也不及SK海力士和美光。
事實上，這不是三星第一次提到DDR6內存，實際上去年底三星就公布了DDR6內存的路線圖，相比DDR5內存來說會進一步提升內存頻率、容量。
具體來說，三星之前提到DDR6會比DDR5頻率再次翻倍，達到了12.8GHz（或者12.8Gbps）,超頻頻率則可以達到17GHz，是DDR5的2倍、DDR4的4倍。
不過這顯然不是極限，實際上現在的DDR5內存頻率已經沖到了12.6GHz，DDR6未來的頻率上限超過20GHz也不是沒可能。
除了頻率之外，DDR6的內存容量也有大漲，每個內存條內的通道數翻倍到4通道，bank容量從16提升到64，這些都會數倍提升DDR6的內存容量，考慮到現在都可以制造出單條256GB的內存，未來單條1TB的DDR6內存不是夢。
按照三星的計劃，DDR6預計會在2024年完成設計，不過2025年之前是不可能見到產品的，未來普及的話可能更遠，畢竟DDR5現在也就是剛剛商用階段。
