英飛凌推出面向輔助電源的1700V SiC MOSFET產(chǎn)品組合，該輔助電源主要為三相電源系統(tǒng)的控制邏輯、顯示和冷卻風(fēng)扇供電。如今，業(yè)界可為這種低功率應(yīng)用（單端反激式拓?fù)洌┦褂酶哌_(dá)1000VDC的輸入電壓。1700V的SiC MOSFET消除了對(duì)電壓應(yīng)力裕量和電源可靠性的設(shè)計(jì)顧慮。與1500V Si MOSFET相比，SiC MOSFET帶來(lái)了更低的導(dǎo)通電阻和器件電容，減少了50%以上的損耗，自然對(duì)流冷卻，無(wú)需額外散熱器，從而實(shí)現(xiàn)了緊湊設(shè)計(jì)。全新的溝槽1700V CoolSiC? MOSFET具有+12V/0V驅(qū)動(dòng)電壓，兼容通用PWM控制芯片，針對(duì)反激式拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，無(wú)需柵極驅(qū)動(dòng)器。新推出的D2PAK-7L產(chǎn)品組合可滿足1700V安全要求，具有>7mm的爬電距離和電氣間隙，最大限度地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)中的隔離設(shè)計(jì)。
優(yōu)勢(shì)
1700V SiC MOSFET高效地實(shí)現(xiàn)了單端反激式拓?fù)潆娫丛O(shè)計(jì)
D2PAK-7L封裝SiC MOSFET直接焊接在PCB上，自然對(duì)流冷卻，無(wú)需額外散熱器
通過(guò)增加封裝的爬電距離和電氣間隙，簡(jiǎn)化了隔離設(shè)計(jì)
降低了系統(tǒng)復(fù)雜性
高功率密度
特性
針對(duì)反激式拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化
開(kāi)關(guān)損耗極低
12V/0V門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓，兼容通用PWM控制芯片
完全可控的dV/dt，針對(duì)EMI進(jìn)行優(yōu)化
D2PAK-7L封裝增加了爬電距離和電氣間隙（> 7mm）
競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
英飛凌CoolSiC?溝槽技術(shù)具有出色的門(mén)級(jí)氧化層可靠性
針對(duì)反激式拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化：+12V/0V門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓，兼容通用PWM控制芯片
具有1700V器件中最低的結(jié)電容與門(mén)極電荷
門(mén)極閾值電壓：VGS(th) >4V
全新D2PAK-7L封裝增加了爬電距離和電氣間隙，可滿足1700V安全要求
目標(biāo)應(yīng)用
太陽(yáng)能逆變器
工業(yè)驅(qū)動(dòng)
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車快速充電
開(kāi)關(guān)電源
典型應(yīng)用電路
產(chǎn)品型號(hào)
關(guān)于英飛凌
英飛凌設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造并銷售各種半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。其業(yè)務(wù)重點(diǎn)包括汽車電子、工業(yè)電子、射頻應(yīng)用、移動(dòng)終端和基于硬件的安全解決方案等。
英飛凌將業(yè)務(wù)成功與社會(huì)責(zé)任結(jié)合在一起，致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。半導(dǎo)體雖幾乎看不到，但它已經(jīng)成為了我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧２徽撛陔娏ιa(chǎn)、傳輸還是利用等方面，英飛凌芯片始終發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，它們?cè)诒Ｗo(hù)數(shù)據(jù)通信，提高道路交通安全性，降低車輛的二氧化碳排放等領(lǐng)域同樣功不可沒(méi)。
