根據日經中文網報道，日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業，與從事ATM及通信設備的OKI公司聯合開發出了低成本制造氮化鎵（GaN）的新技術。這項技術可以使得氮化鎵材料的制造成本降低90%以上，如果能夠量產，將大幅降低快充充電器、電動汽車馬達電控等裝置的成本，有利于氮化鎵技術普及。
信越與OKI開發的新技術，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合，從基板上只揭下晶體。晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。
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這種方法與傳統GaN功率半導體的制造方法相比，成本和性能更具優勢。目前所采用的在GaN基板上使GaN晶體生長的制法不僅制造耗費時間，成品率還很差，成本高。新制法可以高效制造晶體，可以降低9成成本。日本公司開發的新技術，不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化，可以通20倍的大電流。該技術可以用于制造6英寸氮化鎵晶圓，目標是2025年可以增大至8英寸。信越化學工業等，后續還考慮向半導體廠商銷售技術等業務模式。
外媒表示，如果大電流、大功率氮化鎵功率半導體能夠低成本量產，在電動汽車上可取代SiC碳化硅功率半導體，使得快充時間縮短至此前的四分之一。盡管中國自8月起實施鎵、鍺及相關材料的出口管制，但是信越化學工業等采用的制造方法，使用中國出口審批對象之外的派生氣體，因此不受限制的影響。
據富士經濟預測，世界新一代功率半導體市場到2035年將達到5萬億日元，是2022年的31倍。其中，電動汽車用功率半導體將拉動增長。如果GaN能夠低成本量產，將大大改變目前行業主要企業的版圖。
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