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傳統汽車行業的智能化、電動化趨勢帶來了充電樁產品的爆發式增長，但同時大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術挑戰。
要解決這些技術難題，勢必要從元器件的性能出發，于是第三代半導體尤其是碳化硅功率器件因其高耐壓、高開關頻率和高耐溫等優點越來越受到行業關注。
下圖為直流充電樁產品圖
直流充電樁通常采用15-50kW的AC-DC和DC-DC電源模塊，并根據充電位置和車輛類型進行擴展。根據Wolfspeed數據，25kW功率的充電樁模塊大約需用到16-20個1200V SiC MOSFET單管。
我司推薦一款1200V 40mΩ高壓低導通電阻的國產SiC MOSFET，最大漏源電流?56A(Tc?= 25°C)，工作結溫范圍?-55°C～175°C，最大耗散功率不高于300W，反向電容13pF，已在多家頭部客戶批產，性能反饋優異。
除了SiC?MOS，我司在充電樁中還可提供變壓器、電感等磁性元件定制，電流傳感器、MOS管、通用運放、熱敏電阻等國產器件的選型匹配。
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