點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多源電壓檢測是常用的功能。
比如用電池供電的產(chǎn)品，需要實(shí)時檢測電壓以判斷電池的電量情況，并及時提醒用戶對電池充電或者更換電池。
再比如通過檢測電池電壓判斷斷電，及時在斷電之后采用電容上儲存的電荷供電，維持記錄工作，在此期間將RAM中的數(shù)據(jù)寫入flash,eeprom等非易失存儲器，重新上電之后再讀出恢復(fù)，從而實(shí)現(xiàn)斷電記憶功能。
為了保證該功能的可靠性，產(chǎn)品需要滿足電源瞬斷試驗(yàn)要求。比如對于電源50ms瞬斷，在斷電之后，并聯(lián)在供電電源兩端的電解電容可以繼續(xù)放電，維持負(fù)載正常工作。
50ms瞬斷要求電容在向負(fù)載放電50ms之后，其兩端的電壓仍能滿足設(shè)備正常工作要求。
以下面的電路為例，12V供電電源經(jīng)過LDO穩(wěn)壓，得到+3.3V向負(fù)載供電，
LDO電路
經(jīng)過測算，+3.3V電源的負(fù)載電流為50mA；
對于線性穩(wěn)壓器，其輸入電流等于輸出的負(fù)載電流加上線性穩(wěn)壓器的工作電流(也即靜態(tài)電流）；
在上圖中，Iin=Iload+IQ，從規(guī)格書上可知，其靜態(tài)電流約為6mA，這樣+12V外部電源的負(fù)載電流為50mA+6mA=56mA。
從規(guī)格書上還可以知道，LDO的最小壓差的最大值為1.10V，即輸入電壓需要達(dá)到3.3V+1.1V=4.4V以下，LDO才能穩(wěn)定輸出+3.3V的電壓。
LDO的靜態(tài)電流以及壓差
根據(jù)這些參數(shù)， +12V輸入電源兩端的電解電容C1需要取多大的容值才能保證在斷電50ms之內(nèi)，+3.3V的電源電壓穩(wěn)定，從而負(fù)載正常工作。
當(dāng)+12V斷電之后，C1向通過LDO向負(fù)載放電，其放電電流為56mA。
從開始放電，至+3.3V能穩(wěn)定輸出+3.3V電壓的電壓降ΔU=(12-4.4)=7.6V；
通過仿真軟件，用示波器測量斷電之后LDO輸入電壓的波形，可知當(dāng)電容以恒定的56mA的電流放電，放電到LDO穩(wěn)定輸出+3.3V的電壓4.4V所對應(yīng)的時間為49.9mS，與理論分析一致。
電容以恒定電流放電的電壓波形
電解電容的容量誤差大多數(shù)一般都是標(biāo)稱±20%；
鋁電解電容器的電氣性能參數(shù)受溫度影響：隨著溫度的降低，電解液的粘度增加，從而使其導(dǎo)電性能降低，因此，溫度降低時電容量會減小，溫度上升時電容量增加，且這種現(xiàn)象比其他類型的電解電容器更加明顯；
-40℃時的容量比常溫時下降10% ；
理論計(jì)算得到368uF的實(shí)際容量需求，應(yīng)該選用368F/70%=525uF的電容，可選擇680uF的電容；
在第一部分中，根據(jù)測算得到的負(fù)載電流，設(shè)備正常工作的最低電壓，瞬斷時間要求，通過電容的電流電壓關(guān)系推算出電容的容值；并通過電源瞬斷試驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證。
處理器的中斷資源有限，一般情況中中斷處理函數(shù)僅用于實(shí)時性要求非常高的業(yè)務(wù)；
比如MODBUS通信；
耗時長而實(shí)時性要求不好的業(yè)務(wù)一般在主循環(huán)中處理；
所以斷電檢測以及將RAM數(shù)據(jù)寫入EEPROM或者FLASH一般都在主程序中完成；
代碼中不能有while等死等待，比如軟件延時，死等ADC完成等硬件標(biāo)志。
需要評估所有中斷執(zhí)行的時間，主程序最長執(zhí)行時間；
在發(fā)生斷電時，有可能需要耗費(fèi)這些時間之后才執(zhí)行輸入電壓檢測以及保存數(shù)據(jù)的程序；
對于STM32F103的處理器，擦除一頁(1kB)FLASH的時間最大為40ms；
寫1個word數(shù)據(jù)的時間最長時間為70us，保存50個word的數(shù)據(jù)的最長時間為3.5ms；
如果還需要同時備份一組數(shù)據(jù)的話，那50個word數(shù)據(jù)斷電記憶的總時間高達(dá)87ms；
顯然50ms的維持時間不滿足采用STM32F103處理器的內(nèi)部FLASH的斷電記憶的要求。
即使不額外備份一組數(shù)據(jù)，要求考慮了總的中斷時間之后，主程序在在3ms之內(nèi)輪詢一次，也是難以做到的。
如果采用外置的SPI FLASH，比如MX25L系列，其只支持以sector(4KB)為單位的擦除操作，所需要花費(fèi)的時間最短為40ms， 最長為200ms，顯然無法在50ms的時間內(nèi)完成斷電記憶；
如果采用EEPROM，比如AT24C系列，可以按頁寫入，即通過IIC通信發(fā)送一頁數(shù)據(jù)之后，再啟動寫入操作，這樣寫入的時間可以達(dá)到5ms左右；
容量為8KB的AT24C64一頁的大小為32Byte，即寫入32個Byte，考慮400kbps波特率的通信時間，總耗費(fèi)約6ms，寫入100個字節(jié)的數(shù)據(jù)，大概耗時約18ms，即使再備份一組數(shù)據(jù)，也能在36ms內(nèi)完成，從而輪詢一次主程序的最大時間為14ms，這是努力一把可以做得到的；
有人可能會問，為什么需要在檢測到斷電之后才將數(shù)據(jù)存入非易失存儲器；
如果不計(jì)成本，用鐵電存儲器當(dāng)作非易失存儲器，那就可以不受限制隨時寫入了；
FLASH的擦寫壽命一般為10萬次；
EEPROM的擦寫壽命一般為100萬次；
可以通過在軟件算法在不同扇區(qū)之間做讀寫平衡以延長擦寫壽命。
但是，對于一些變化快的數(shù)據(jù)，依然很達(dá)到使用的壽命要求；
一些外部輸入的高速計(jì)數(shù)，比如生產(chǎn)線上的生產(chǎn)計(jì)件，假設(shè)一秒內(nèi)有1次計(jì)數(shù)，如果數(shù)據(jù)變化就寫入非易失存儲器，則1秒內(nèi)大概會擦寫1次；大概2天擦寫次數(shù)就會達(dá)到16萬次。
綜合以上信息，
采用STM32F103處理器的內(nèi)部FLASH，通過檢測電源電壓進(jìn)行斷電記憶需要滿足至少100ms左右的瞬間要求；
采用外部SPI FLASH，很難通過檢測電源電壓進(jìn)行斷電記憶；
采用大容量的EEPROM，滿足50ms的電源瞬斷要求，可能可以做到斷電記憶。
如果成本沒有壓力，可以采用鐵電存儲器做斷電記快功能，鐵電存儲器沒有寫入次數(shù)的限制，不需要檢測斷電，可以存儲寫入，而且寫入的速度非常快，不需要考慮寫入時間；
一個檢測的電源電壓檢測電路
上圖是一個簡單的電源電壓檢測電路，將電源電壓通過電阻分壓之后接到MCU的ADC口。
二極管D1除了電源防反接保護(hù)之后，還可以避免電容C1上的電壓反灌到輸入電源檢測電路，使得斷電之后，可以立即被檢測到；
有幾個問題需要考慮：
1)檢測電路的工作電流，以智能灌溉的閥門控制器為例，該設(shè)備由9V堿性電池供電，實(shí)測大概為400mAh的容量；
單片機(jī)睡眠功耗大概可以做到10uA；
根據(jù)設(shè)定的定時澆灌邏輯，利用RTC的Alarm功能每天定時喚醒，驅(qū)動閥門打開澆水，
驅(qū)動電流大概為500mA，驅(qū)動時間大概為1s，執(zhí)行一次消耗電量為0.14mAh，一天執(zhí)行三次總耗電為0.42mAh；
而設(shè)備待機(jī)一天消耗的電量約為0.24mAh；
一天總耗電為0.66mAh，400mAh的電池可使用606天；
而該電源電壓檢測電路的平均工作電流約為64uA，一天消耗的電量為1.54mAh，遠(yuǎn)大于單片機(jī)睡眠功耗，加上該電流，電池僅可使用180天左右；
雖然增加R2的阻值可以減少檢測電路的電流，然而，阻值大的電阻精度差，而且PCB板的表面絕緣電阻也會對測量精度造成影響。
2)MCU的端口保護(hù)，在這一電路中，MCU的端口通過分壓電阻R2裸露到了外部；
當(dāng)有靜電放電、電磁干擾、閃電、接地不良、感性負(fù)載切換等情況發(fā)生時，可能有浪涌電壓或者浪涌電流從外部串入MCU；
浪涌電壓時間很短,一般在幾十微秒,幅度可以達(dá)到數(shù)千伏；
正電壓可以在D1導(dǎo)通之后由C1、C2吸收，但是由于D1導(dǎo)通需要響應(yīng)時間以及走線的寄生電感的影響，不可避免會有高壓脈沖串入IO口；
電源的電壓越高，R3兩端的分壓值也越大，當(dāng)該分壓值超過MCU的工作電壓與MCU端口的上拉保護(hù)二極管的正向?qū)妷褐停?/span>
則電流通過上拉保護(hù)二極管流向MCU的供電電源；
假設(shè)電源電壓為Vin，MCU的工作電壓為V+3.3V，MCU內(nèi)部上，下拉保護(hù)二極管的導(dǎo)通電壓為Vf，流過MCU內(nèi)部二極管為Iin，則滿足下面關(guān)系式：
當(dāng)
時 ,
根據(jù)MCU的規(guī)格書，流過保護(hù)二極管的電流超過10mA就可能損壞IO口，
對應(yīng)的輸入電壓為：
同理，當(dāng)負(fù)電壓低于1008V時，可能損壞IO口；
針對這些情況，靠近MCU IO口放置的小電容可以起到至關(guān)重要的保護(hù)作用；
浪涌電壓或者靜電的特點(diǎn)是時間非常短，最多僅為幾十us；
電容兩端的電壓不能突變，輸入電壓通過R2,R3向電容充電，時間常數(shù)τ為，
電容兩端的電壓為：
應(yīng)該保證在高壓脈沖持續(xù)時間內(nèi)，電容兩端的電壓不能被充至讓MCU的內(nèi)部保護(hù)二極管導(dǎo)通；
考慮持續(xù)時間20us，幅度為2000V的電壓，需要滿足：
問題在于，
需要通過雙極性TVS或者壓敏電阻對浪涌電壓進(jìn)行鉗位。
可以采用三極管對檢測電路的通斷進(jìn)行控制，如下圖：
開關(guān)控制的電源電壓檢測電路
MCU的IO口輸出高、低電平通過Q1以及Q2控制電源電壓檢測電路的通路；
只有在需要檢測時，才輸出高電平，使能Q1、Q2導(dǎo)通，電源電壓經(jīng)過R2,R6分壓之后送入ADC口進(jìn)行檢測，如果由電池供電，這時才會消耗電池電量。
還有一種更簡單的電路，可以達(dá)到一樣的效果；
優(yōu)化的電源電壓檢測電路
與上一個電路相比，少了一個PNP三極管以及兩個電路，可以節(jié)省大幾毛錢，螞蟻腳也是肉，摘下口罩之后，大形勢不明朗，能省一點(diǎn)是一點(diǎn)。
該電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)在于選擇合適的基極、集電結(jié)、發(fā)射結(jié)的電阻，使得三極管Q1處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)；
假設(shè)三極管仍然處于放大狀態(tài)，
電源電壓為Vin，MCU端口輸出高電平為VO；
B極電流為IB，C極電流為IC，BE極的壓降為VF；
電阻R1兩端的電壓為VE，三極管CE兩端的電壓為VCE，
三極管C極的電流放大倍數(shù)為β，則有以下關(guān)系式成立：
（1）
（2）
（3）
（4）
（5）
由1，4可以得到，
進(jìn)一步得到：
當(dāng)VCE<0時，Q1不再處于放大狀態(tài)，而進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)，
如果取VO=3.3V，VF=0.7V， R1=10KΩ，R2=100KΩ時，則有Q1處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)的條件為：
?(kΩ）
取電流放大倍數(shù)β的最小值為50，Vin的最大值為20V，則右式的最小值為219kΩ；
所以R4只需要小于219kΩ即可以讓Q1處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)；
硬件工程師及從業(yè)者都在關(guān)注我們
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