EPC宣布推出首款具有1mΩ導通電阻的GaNFET

2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉換、快速充電、電機驅動和太陽能MPPT提供更高的功率密度。

EPC稱，這是市場上導通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產品相比，功率密度提高了一倍。

EPC2361具有典型的RDS（開）僅為1mΩ，采用耐熱增強型QFN封裝，頂部裸露，尺寸小巧，為3 mm x 5 mm。最大RDS（開）x EPC2361面積為15 mΩ*mm2–比同類100 V Si MOSFET小5倍以上。

憑借其超低導通電阻，該器件可在功率轉換系統中實現更高的功率密度和效率，從而降低能耗和散熱。這一突破對于大功率PSU AC-DC同步整流、數據中心的高頻DC-DC轉換、電動汽車的電機驅動、機器人、無人機和太陽能MPPT等應用尤為重要。

EPC首席執行官兼聯合創始人Alex Lidow表示：“我們新的1 mΩ GaN FET持續突破GaN技術的極限，使我們的客戶能夠創建更高效、更緊湊、更可靠的電力電子系統。”

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