高頻變壓器三明治繞法：初級包次級？還是次級包初級？

一般的單輸出電源，變壓器分為3個繞組，初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb；

第二種，次級夾初級的繞法(也叫次級平均繞法)

我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發(fā)對EMI的影響。

三明治繞法對EMI的有利因數(shù)

我們來看初級夾次級的繞法，我們知道，變壓器的初級由于電壓較高，所以繞組較多，一般要超過2層，有時甚至達到4-5層，這就給變壓器帶來一個分布參數(shù)---層間電容，形成原理相信大家都清楚，我就不多解釋了。當MOSFET關(guān)斷的時候，變壓器的漏感與MOSFET的結(jié)電容以及變壓器的層間電容會產(chǎn)生振動，幅度達到幾十甚至超過一百V，這對MOSFET與EMI來說都是不允許的，所以，我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩，達到保護MOSFET與改善EMI的目的。

上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形

從這個角度來說，三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。

三明治繞法對EMI的不利因素

從另外一個角度來說，三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積，減少了漏感，同時又使初次級的耦合電容增加了;當開關(guān)管反復開關(guān)時，電容也會反復充放電，也就是說會引起振蕩，此振蕩正比于開關(guān)頻率，會對EMI產(chǎn)生不利的影響。

簡單來說三明治繞法使初級與次級之間的雜散電容增加，給EMI提供了阻抗更低的通路，最常見的對策是變壓器副便繞組對原邊大電容之間跨接一個Y電容把噪聲旁路掉。

綜合來講三明治繞法帶來的優(yōu)勢非常明顯的，至于初級包次級還是次級包初級這個嚴格來講要看實際情況而定了，本人建議用初級包次級的繞法，畢竟一般的變壓器都是原邊匝數(shù)比副邊匝數(shù)多得多，繞起來比較好操作。繞起來方便好繞其實也是比較重要的，可以把變壓器繞得更平整同樣也可以增強耦合性減少漏感！