在晶振電路設(shè)計中，近端和遠(yuǎn)端的相位噪聲會受到不同因素的影響。通常，晶振的近端相噪主要由晶體自身的參數(shù)決定，而遠(yuǎn)端相噪則更多地依賴于晶體匹配的振蕩IC的特性。電性能參數(shù)，如起振時間、負(fù)載電容、負(fù)性阻抗，都對近端和遠(yuǎn)端相位噪聲都有重要影響。
建議優(yōu)先確保近端的穩(wěn)定性，同時通過適當(dāng)減少晶體電流和負(fù)載電容來改善近端相噪。另外，通過增加電流可以優(yōu)化遠(yuǎn)端的相噪表現(xiàn)。
起振時間(T)
起振時間的長短主要由晶體的諧振電阻和振蕩器的負(fù)性阻抗共同決定。高Q值的晶體諧振電阻較小，因此起振速度更快。
其中：諧振電阻R，負(fù)電阻Rˉ、動態(tài)電感L、動態(tài)電容C1、頻率ω、k為常數(shù)(12~30)。
負(fù)性阻抗(Rˉ)
KOAN振蕩器的負(fù)性阻抗通常設(shè)計為晶體諧振電阻的3至20倍，這樣可以有效加快起振過程并提高振蕩的穩(wěn)定性。負(fù)性阻抗的倍數(shù)越高，起振速度越快。
其中：gm為跨導(dǎo)，與振蕩IC的設(shè)計相關(guān)。在負(fù)載電容CL較小的情況下，增加gm的值可以提高負(fù)性阻抗，從而加快起振。
負(fù)載電容(CL)
負(fù)載電容的大小不僅影響振蕩器的負(fù)性阻抗，還會對近端和遠(yuǎn)端相噪帶來不同的影響：
小的CL：較小的負(fù)載電容使負(fù)性阻抗變大，起振速度更快，牽引量更大，但同時也更容易受到雜散電容的影響。這對近端相噪有利，但可能增加遠(yuǎn)端相噪。
大的CL：較大的負(fù)載電容會減小負(fù)性阻抗，導(dǎo)致起振速度較慢，但雜散電容的影響較小，有助于提升遠(yuǎn)端相噪的穩(wěn)定性，可能對近端相噪不利。
在設(shè)計晶振電路時，建議根據(jù)應(yīng)用需求在相噪、起振時間和負(fù)載電容之間進(jìn)行合理權(quán)衡，以優(yōu)化電路性能。
我們提供無源晶振和有源晶振，覆蓋多種規(guī)格尺寸，現(xiàn)貨充足，以滿足客戶需求。我們的產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先水平。
我們有E5052B信號分析儀器(相位噪聲和抖動)、S&A280B(振蕩器)、S&A250B(諧振器)測試儀器，以及高低溫箱，抗沖擊試驗設(shè)備。能夠檢測溫度、負(fù)載和功率電壓變化條件下的頻率穩(wěn)定性。
歡迎致電或訪問官網(wǎng)獲取更多信息：
