今日,全球領先的模擬/混合信號和專業代工廠X-FAB Silicon Foundries SE宣布推出其下一代XbloX平臺XSICM03,推進了用于功率MOSFET的硅碳化物(SiC)工藝技術,顯著減少了單元間距,使得每片晶圓的芯片數量增加,同時在不犧牲可靠性的情況下改善了導通電阻。
XbloX是X-FAB的精簡業務流程和技術平臺,旨在加速先進SiC MOSFET技術的開發。它整合了合格的SiC工藝開發模塊和平面MOSFET生產的模塊,簡化了入門流程,并顯著降低了設計風險和產品開發時間。通過結合經過驗證的工藝模塊與健全的設計規則、控制計劃和FMEAs(失效模式與影響分析),XbloX使得原型制作更快、設計評估更簡單、上市時間更短。這種方法為客戶提供了競爭優勢,允許設計師創建多樣化的產品組合,同時實現比傳統開發方法快九個月的生產時間表。這一代新平臺在保持健全的工藝控制以及漏電和擊穿設備性能的同時,提供了活動區域設計單元尺寸的減小。
在德克薩斯州 X-FAB 制造的 6 英寸碳化硅晶片
XSICM03平臺配備了健全的設計規則,允許客戶創建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。這一改進允許每片晶圓的芯片數量比上一代增加高達30%。利用經過驗證的工藝模塊,平臺確保了卓越的柵氧可靠性和設備穩健性。豐富的PCM庫和增強的設計支持允許客戶快速完成膠帶輸出,從而加速產品開發。 X-FAB Texas的CEO Rico Tillner解釋說:“憑借其精簡的方法,我們的下一代工藝平臺滿足了汽車、工業和能源應用中對高性能SiC設備日益增長的需求。我們使現有和新客戶能夠通過加速原型制作和設計評估,創建應用優化的產品組合,顯著減少上市時間。”*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,碳化硅芯觀察轉載僅為了傳達觀點,僅代表碳化硅芯觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯系碳化硅芯觀察。