2025年1月7日，清純半導體與士蘭微電子2024年終總結會在杭州士蘭微電子股份有限公司順利舉行。士蘭微電子董事長陳向東與清純半導體董事長張清純及雙方研發、運營和產線相關人員共同出席。
雙方全面回顧了過去一年來在研發、代工、量產和產業協同上的合作情況，對成功的經驗進行了總結，對出現的問題進行了分析并提出了改進措施。面向2025年，雙方圍繞新品規劃、產品量產和8寸產線建設進行了深入探討。清純半導體將與士蘭微電子深化技術合作，推動第二代SiC MOSFET量產爬坡，雙方將共同開發包括溝槽型SiC MOSFET等新產品，同時為士蘭微電子8寸碳化硅量產線提供技術支撐。同時，士蘭微電子將為清純半導體提供充足的產能保障，其正在建設的8寸碳化硅量產線也將為清純半導體提供獨家代工服務。雙方在碳化硅業務上將繼續精誠合作，共同提高彼此的綜合競爭力，風雨同舟，攜手共進，爭取更大的成果。2025年元旦期間，清純半導體發布新年賀詞，文章中提到SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元，2024年實現SiC MOSFET年度出貨超過500萬顆，批量應用在光伏與儲能、充電樁及高端電源等領域，成為SiC MOSFET國產器件主流供應商之一。2024年清純半導體SiC MOSFT獲得了國際頭部車企的主驅芯片研發定點，將在未來3年內不斷開發并交付業界領先的SiC主驅芯片。已量產的主驅SiC MOSFET也通過多家車企測試，已開始在國內頭部車企開始臺架驗證。清純半導體在市場端成功建立了更優質、更可靠的口碑，越來越多的客戶知道清純、了解清純、選擇清純。2024年清純半導體持續推出業界領先的產品，實現了電壓平臺從650V-3300V全覆蓋的產品規格，完成了第三代SiC MOSFET的平臺技術開發工作，在保持高可靠性和高耐壓的前提下，公司最新的MOSFET平臺的比電阻達到了國際領先的2.1?mΩ·cm2，面向客戶應用的關鍵參數也持續進一步優化。公司牽頭及參與多項SiC MOSFET動態測試標準，旨在為SiC MOSFET功率器件提供一套科學、合理的測試與評估方法，支撐產品性能提升，推動產業高質量發展，同時清純半導體量產的SiC MOSFET經權威機構測評，其動態可靠性領先國際領先水平；2024年我們積極參與各類研發項目，成功參與申報了科技部重點研發計劃、浙江省“尖兵領雁+X”項目等；并榮獲了寧波市科學技術進步一等獎。?除了上文提到的和士蘭微保持良好的產能合作外，清純半導體始終堅持代工產能和自有產能同步推進的雙線戰略，在產能保障、技術迭代、成本優化、風險可控的四個維度中探索出適合自己的特色產能建設道路。
公司與上海積塔半導體、士蘭微電子不斷加強合作，2024年清純半導體與積塔半導體簽訂新的戰略合作協議，推動未來在積塔的持續上量并合作開發未來新型器件的預研工作。2024年，公司的自有產能建設也在按照計劃穩步有序推進中。清純半導體表示將與積塔半導體、士蘭微電子和產業各界緊密合作、資源共享，推動產業共同發展。
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