4月15日，兆易創新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND ?Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創新的壞塊管理(BBM)功能，可有效解決傳統SPI NAND ?Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優勢與NAND ?Flash大容量、低成本優勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND ?Flash帶來新的發展機遇，成為安防、工業、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。
GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工藝節點，支持內置8bit ECC、3V和1.8V兩種工作電壓，以及Continuous ?Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多種高速讀取模式，為用戶提供多種組合設計方案。與傳統SPI NAND ?Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC設計上摒棄了原有的串行計算方式，實現復雜ECC算法的并行計算，這極大地縮短了內置ECC的計算時間。該系列3V產品最高時鐘頻率為166MHz，在Continuous ?Read模式下可達83MB/s連續讀取速率;1.8V產品最高時鐘頻率為133MHz，在Continuous ?Read模式下可達66MB/s連續讀取速率。這意味著在同頻率下，GD5F1GM9系列的讀取速度可達到傳統SPI ?NAND產品的2~3倍，該設計優勢可有效提高器件的數據訪問效率，顯著縮短系統啟動時間，進一步降低系統功耗。
為了解決傳統NAND ?Flash的壞塊難題，GD5F1GM9系列引入了先進的壞塊管理(BBM)功能。該功能允許用戶通過改變物理塊地址和邏輯塊地址的映射關系，從而有效應對出廠壞塊和使用過程中新增壞塊的挑戰。一方面，傳統NAND ?Flash在出廠時可能存在隨機分布的壞塊，若這些壞塊出現在前部代碼區，將導致NAND ?Flash無法正常使用。而GD5F1GM9系列通過壞塊管理(BBM)功能，可確保前256個Block均為出廠好塊，進而保障代碼區的穩定性。另一方面，在使用過程中，NAND ?Flash可能出現新增壞塊，傳統解決方案需要預留大量冗余Block用于不同分區的壞塊替換，造成嚴重的資源浪費。GD5F1GM9系列的壞塊管理(BBM)功能允許用戶重新映射邏輯地址和物理地址，使損壞的壞塊地址重新可用，并且僅需預留最小限度的冗余Block，該功能不僅顯著提高了資源利用率，還有效簡化了系統設計。
“目前，SPI NAND ?Flash的讀取速度普遍較慢，已成為制約終端產品性能提升的重要瓶頸”，兆易創新副總裁、存儲事業部總經理蘇如偉表示，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND ?Flash的推出，為市場中樹立了新的性能標桿，該系列不僅有效彌補了傳統SPI NAND ?Flash在讀取速度上的不足，并為壞塊管理提供了新的解決方案，可成為NOR ?Flash用戶在擴容需求下的理想替代選擇。未來，兆易創新還將持續打磨底層技術，為客戶提供更高效、更可靠的存儲方案。”
目前，兆易創新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V兩種電壓選擇，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24(5×5 ?ball array)5x5ball封裝選項。
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