位于臺灣桃園的穩(wěn)懋半導體股份有限公司為無線、基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)市場提供純砷化鎵 (GaAs) 和氮化鎵 (GaN) 晶圓代工服務(wù)，該公司已推出高度穩(wěn)健的 NP12-0B 毫米波 (mmWave) 碳化硅上氮化鎵 (GaN-on-SiC) 技術(shù)測試版，擴展了其 RF GaN 技術(shù)產(chǎn)品組合。
NP12-1B 專為 K 波段至 V 波段頻率范圍內(nèi)的苛刻高功率應(yīng)用而設(shè)計，可提供業(yè)界領(lǐng)先的高功率前端解決方案，具有出色的線性度、堅固性和可靠性，適用于下一代射頻和微波系統(tǒng)。
對于高線性度放大器，NP12-1B 旨在滿足高功率射頻應(yīng)用的嚴格要求，包括高功率微波和毫米波通信系統(tǒng)、雷達系統(tǒng)（包括機載、艦載和陸基）、電子戰(zhàn)和航空電子設(shè)備、無線基礎(chǔ)設(shè)施、超寬帶和寬帶系統(tǒng)以及測試與測量設(shè)備。在密集頻譜環(huán)境中，為了最大限度地減少信號失真和互調(diào)，高線性度至關(guān)重要，這對于保持信號完整性至關(guān)重要。
NP12-1B 集成多項晶體管改進，兼具高擊穿電壓、增強的線性度以及在連續(xù)波 (CW) 高壓縮場景下的穩(wěn)定運行。該技術(shù)的源極耦合場板設(shè)計確保了 120V 的典型柵漏擊穿電壓，從而支持高功率密度和系統(tǒng)可靠性。NP12-1B 提供增強型防潮選項，可為塑料封裝提供出色的防潮性能。
NP12-1B 配備完整的工藝設(shè)計套件，包含大信號和小信號模型，可加速高性能射頻電路的開發(fā)。如有需要，可提供全面的認證報告。同時，NP12-1B 將于 2025 年第三季度實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。
來源：winfoundry.com
