近日，#山東力冠 于正式發布其12英寸PVT電阻設備及8英寸多坩堝設備，為8-12英寸SiC晶圓的規模化、穩定化、低成本制備樹立了新的行業標桿。
山東力冠發布的12英寸PVT電阻設備及8英寸多坩堝設備，是碳化硅晶圓制備的核心工藝設備，可以決定了碳化硅晶錠的生長效率、質量和成本，與碳化硅產業的發展密切相關。
據了解，12英寸PVT電阻爐單爐次生長效率提升達40%，且集成先進多溫區精準控制技術，可有效確保晶格質量與厚度一致性，能滿足嚴苛的量產質量要求。
8英寸多坩堝設備采用3-5個坩堝同步生長，單次產出能力成倍提升，可大幅攤薄晶錠的制造成本。同時，其創新的硬件架構與智能控制軟件融合，可實現高精度溫度與真空壓力動態調控，獨家多坩堝協同溫場技術還解決了傳統超大尺寸設備熱場分布不均的問題。
公開資料顯示，山東力冠成立2013年，是國內半導體裝備制造行業的頭部企業。其產品涵蓋第一代至第四代半導體材料工藝裝備，包括PVT單晶生長設備、HVPE設備、SiC籽晶粘接設備等。產品廣泛應用于集成電路、5G芯片、光通信等戰略新興領域，已進入比亞迪半導體等頭部企業產線，還出口至中國臺灣、俄羅斯、韓國、新加坡等國家和地區。
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