另外，SEMI預(yù)測半導(dǎo)體后端設(shè)備需求將迎來爆發(fā)式增長。其中，測試設(shè)備銷售額同比增長23.2%，達(dá)到93億美元；封裝設(shè)備銷售額同比增長7.7%，至54億美元。
與此同時，中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)也接踵傳來利好消息。為擺脫依賴外國設(shè)備，長江存儲已著手建設(shè)一條僅完全依賴國產(chǎn)工具的的試驗線，預(yù)計于2025年下半年開始試產(chǎn)。據(jù)了解，長江存儲該產(chǎn)線覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積等九大類設(shè)備，首次實(shí)現(xiàn)全鏈路國產(chǎn)化協(xié)同。毫無疑問，這是中國半導(dǎo)體設(shè)備從單點(diǎn)突破邁向系統(tǒng)整合的重要里程碑；也是中國半導(dǎo)體設(shè)備自主化進(jìn)程中的關(guān)鍵突破。
從NAND產(chǎn)能角度而言，長江存儲2024年底月產(chǎn)能已達(dá)13萬片晶圓，占全球NAND產(chǎn)能8%；2025年目標(biāo)提升至月產(chǎn)能15萬片；并期望在2026年占據(jù)全球NAND15%的市場份額，中國內(nèi)需市場超30%的份額。
當(dāng)前，全球內(nèi)存產(chǎn)能TOP3分別是三星、SK海力士、美光，三家2025年的產(chǎn)能預(yù)測分別是66萬片、50萬片和30萬片，若長江存儲能將月產(chǎn)量提升至20萬片將具備全球NAND定價話語權(quán)。
因而，若2026年目標(biāo)達(dá)成，長江存儲將成為繼三星、SK海力士、美光后的全球第四大NAND廠商，打破海外壟斷。更關(guān)鍵的是，中國將突破美國的技術(shù)封鎖，使美企喪失全球40%的芯片市場，形成“反噬”。
在國產(chǎn)存儲芯片廠商以及其他芯片廠商強(qiáng)勁需求的推動下，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備頭部企業(yè)從成熟制程（28nm）向先進(jìn)制程（5nm）突破。
在刻蝕、薄膜沉積領(lǐng)域，中微公司和拓荊科技均取得歷史性突破。其中，中微公司5nm CCP刻蝕設(shè)備成功通過國內(nèi)存儲頭部廠商驗證，2025年上半年出貨量在國內(nèi)邏輯產(chǎn)線新增設(shè)備中占比大幅提升。更值得關(guān)注的是，應(yīng)用于HBM的高深寬比刻蝕設(shè)備已交付SK海力士無錫封測廠，這是中微公司的首單海外訂單，標(biāo)志著其設(shè)備獲得國際市場的認(rèn)可，邁出了全球化布局的重要一步。
另一家國產(chǎn)半導(dǎo)體獨(dú)角獸——拓荊科技在薄膜沉積設(shè)備方面取得突破，14nm SACVD（次常壓化學(xué)氣相沉積）設(shè)備在中芯國際產(chǎn)線成功替代應(yīng)用材料的同類產(chǎn)品，打破了國外企業(yè)在該領(lǐng)域的壟斷局面。
同時，在清洗、封裝設(shè)備領(lǐng)域國產(chǎn)半導(dǎo)體廠商市場份額也在持續(xù)增長。盛美上海單片兆聲波清洗設(shè)備獨(dú)供臺積電CoWoS生產(chǎn)線，在先進(jìn)封裝清洗份額中實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，充分體現(xiàn)了該設(shè)備的技術(shù)優(yōu)勢和市場認(rèn)可度；另其自研的氣相干法刻蝕設(shè)備通過長存200層3D NAND驗證，為其在存儲芯片領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展奠定了基礎(chǔ)；新益昌其高速倒裝芯片（Flip Chip）貼片機(jī)獲得通富微電、長電科技的采購訂單，且在HBM封裝訂單中的占比達(dá)到32%，顯示出公司在先進(jìn)封裝設(shè)備市場的強(qiáng)勁增長勢頭。
在市場需求和國產(chǎn)替代雙重作用之下，2025年上半年四大國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商（北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技和盛美上海）均實(shí)現(xiàn)了高速增長，其中拓荊科技更是實(shí)現(xiàn)了超50%的營收增長。具體如下：
雖然長江存儲的全國產(chǎn)線即將試產(chǎn)，四大國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的強(qiáng)勁增長，但不可否認(rèn)的是，中國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率相對于中國市場的占比而言依然顯著偏低，2024年，除去膠設(shè)備、清洗設(shè)備、刻蝕設(shè)備和熱處理設(shè)備國產(chǎn)化率超30%，PVD/CVD/ALD、CMP、涂膠顯影、離子注入、量檢測和光刻等環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化率仍低于20%，分別為5~20%，30~40%，5~10%，10~20%，1~10%和0~1%。
因此，長江存儲全國產(chǎn)化產(chǎn)線試產(chǎn)標(biāo)志著中國半導(dǎo)體設(shè)備鏈從“點(diǎn)狀突破”邁向“系統(tǒng)協(xié)同”，其技術(shù)繞道策略已初見成效。然而，光刻等核心設(shè)備的短板仍是長期挑戰(zhàn)！
