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在下面示例的電路圖中，MOSFET是逆變器中最關鍵的元件， 因為它們控制流向電機的電流以產生運動。
逆變器的三個橋臂將直流電池電壓轉換為三相交流電壓和電流， 以驅動電機。 該功率級通過檢測運行時的溫度、 電壓和電流來進行監控和保護。 MCU 輸出的控制信號通過帶有電氣隔離的柵極驅動器以 PWM 信號的形式傳輸到功率級。
牽引逆變器和電動汽車電機的高效運行， 是良好的 MCU 控制、 快速的信號反饋與精確的感知相結合的結果。 在能量回收制動過程中， MCU 控制會發生變化， 此時相同的功率級將能量從電機（作為發電機運行） 傳輸回直流電池。
安森美提供三種使用 EliteSiC 器件構建高性能功率級的方法：
使用帶有針鰭散熱器的單個6-pack架構模塊（SSDC39） ， 實現最高集成度的解決方案。
使用 3 個半橋模塊（AHPM15） ， 在保持性能的同時提供更高的設計靈活性。
使用 6 個無封裝裸芯形式的 M3e MOSFET， 打造您專屬的自定義模塊設計。
用于牽引逆變器的VE-Trac SiC模塊
碳化硅（SiC） 技術通過提升牽引逆變器的效率和性能， 正在引領純電動汽車的革新。 SiC 提供卓越的效率和峰值功率， 尤其是在更高電壓下， 這使其成為對續航里程和性能至關重要的電動車的理想選擇。
SSDC39 6-pack功率模塊系列采用行業標準封裝， 提供更佳的性能、 更好的效率和更高的功率密度。
NVXR17S90M2SPB模塊集成了900V 1.7mΩ的SiC MOSFET， 采用6-pack配置的SSDC39封裝。
為了便于裝配并提高可靠性， 新一代的Press-Fit引腳集成到功率模塊的信號終端上。 為實現直接冷卻，采用凝膠填充封裝技術， 并在底板上集成優化的針鰭散熱器。 該模塊設計符合 AQG324 車規級標準。
圖： SSDC39 功率模塊內部的 6-pack MOSFET 配置
新一代 EliteSiC 1200 V M3e MOSFET 技術
安森美高性能的第三代 1200 V SiC MOSFET ——NCS025M3E120NF06X， 采用無封裝的 5x5 mm 裸芯形式， 可靈活應用于任何自定義模塊設計中。 基于安森美最新一代 SiC MOSFET 技術， M3e 系列具有同類產品中最低的導通電阻， 典型值為
11.0 mΩ（測試條件： VGS = 18 V， ID = 135 A， TJ = 25 ℃） ， 使其成為汽車牽引逆變器應用的理想選擇。
用于牽引逆變器應用的新型 B2S 和 B6S 功率模塊工程樣品， 基于全新的1200 V SiC M3e 技術。 B2S 模塊采用可燒結的半橋結構， 而 B6S 則是更大尺寸、 集成散熱器的6-pack模塊。 如需獲取這些模塊的首批工程樣品， 請聯系安森美銷售團隊。
M3e MOSFET 代表了平面技術的最終發展方向， 其晶胞間距相比 M1 系列縮小了超過 60%。
上圖： B2S 可燒結半橋模塊，尺寸為 58 x 64 x 8.6 mm
右圖：配備安森美最新隔離型柵極驅動器的 B2S 驅動板
?點個星標，茫茫人海也能一眼看到我?
