該白皮書由行家說攜手英諾賽科、能華半導體、致能半導體、萬年晶半導體、譽鴻錦、京東方華燦、鎵奧科技、中科無線半導體、聚能創芯、鴻成半導體等產業各環節領軍企業共同編寫。
行家說Research在《氮化鎵白皮書》提供了三組關鍵數據預測：
? 市場規模：2025年預計達到5億美元左右，到2030年，數據中心、汽車、人形機器人等新興市場合計將占GaN市場規模的30%左右。
? 滲透率：2025年氮化鎵與MOSFET的產值比為2.33%；2030年將達到11%左右；
? 產能利用率：2024年氮化鎵整體產能稼動率為30%，預計2025年將提升至42%；
GaN市場規模：
2025年將達22.35億美元，三大新賽道加速
對于總體GaN市場規模，行家說Research預測：
? 2024年GaN市場規模為3.82億美元，2025年預計達到5億美元左右，2030年將成長至約22.35億美元左右，2024-2030年的年復合增長率達到33.24%。
? 到2030年，數據中心、汽車、人形機器人等新興市場合計將占GaN市場規模的30%左右，而消費電子需求依舊增長，但占比下降至49%。
GaN滲透率：
2030年產值比將達11%，替代硅潛力仍巨大
2025年，整體MOSFET（包括碳化硅）的市場規模為1076億元人民幣，預計年復合增長率為6%左右，到了2030年市場規模會增長到1464億人民幣。
對照行家說Research數據可以看到，GaN功率器件滲透率將不斷提高：2025年氮化鎵與MOSFET的產值比2.33%，預計2030年該比值將達到11%左右，替代硅MOSFET的速度將加快，并且未來替代MOSFET的潛力仍然巨大。
GaN產能利用率：
2024年產能稼動率為30%，預計2025年加速
GaN產能利用率方面，行家說Research預測，2024年GaN行業的產能稼動率僅為30%，預計2025年隨著下游需求的增量加速，總體稼動率將提升至42%。
2026年全球GaN晶圓廠進入產能優化階段，重心將轉向提高現有產線的稼動率，假設整體行業在2026年無明顯擴產，整體產能利用率有望突破61%。
預計到了2027年市場需求的釋放，可消耗現有全部產能（約140萬片），隨后行業將啟動新一輪產能擴張，來匹配下游應用需求的持續增長。
綜合以上，行家說Research對GaN產業作出了三點總結：一是氮化鎵正在“鎵”速而來，市場滲透率逐漸提升；二是氮化鎵將全面取代硅，“氮”仍需等待市場爆發；三是氮化鎵市場利好很多、變量很大，尤其是各應用領域的市場發展節奏、技術迭代等存在不確定性，需要保持定力，持續努力。
《2024-2025氮化鎵（GaN）產業調研白皮書》還針對氮化鎵功率半導體產業概況、氮化鎵技術進展、GaN市場規模及供需分析、GaN功率半導體價格與成本分析等方面作出詳細分析。目前，該白皮書已重磅發布，歡迎掃碼訂閱！
本文發自【行家說三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業觀察。
