上次我們拆解了中車的IGBT功率模塊，這次我們來給大家拆解英飛凌的SiC MOSFET。

要說兩者有什么區別？其實都是作為電機控制器逆變器的功率模塊，只不過IBGT是Si基材料，SiC MOSFET采用了更為先進的SiC材料。SiC相比IGBT，具備更高的開關頻率、更低的導通電阻和更小的開關損耗，從而實現更高效率、更小體積和更少散熱需求，特別適用于高壓高速場景。

本次給大家展示的是英飛凌HybridPACK ? Drive G2系列碳化硅功率模塊。

型號：FS02MR12A8MA2B

說明：這款 HybridPACK ? Drive G2 CoolSiC ? G2 模塊是一款高度緊湊的 B6 橋功率模塊 (1200V/390A)，其增強型封裝針對各種逆變器功率等級進行了優化。

特性

• 新的半導體。材料 - 碳化硅
• 低 R _DS(on)
• 低開關損耗
• 低Q _g 和C _rss
• 4.2 kV DC 1秒絕緣
• 高爬電距離和間隙距離
• 緊湊的設計
• 高功率密度
• 直接冷卻 PinFin 底板
• 高性能 Si3N4 陶瓷
• PCB 和冷卻器組裝指南
• 集成溫度傳感二極管

產品優勢

• 更高的溫度循環能力
• 集成二極管溫度傳感器
• 新型塑料材料
• 更好的溫度能力
• 降低系統 BOM
• 更低的交流接觸電阻
• 降低標簽溫度
• PressFIT 接觸技術
• 符合 RoHS 規定
• 完全無鉛
• 卓越的可靠性

英飛凌官方推薦的驅動芯片：1EDI3035AS

說明：EiceDRIVER ?柵極驅動器 1EDI3035AS 是一款用于汽車應用的高壓 SiC MOSFET 驅動器，具有 8 kV 電流絕緣和無芯變壓器 (CT) 技術。該 IC 支持高達 1200 V 的 SiC-MOSFET，非常適合驅動 IGBT + SiC HybridPACK ? Drive G2 Fusion 模塊。該設備具有強大的輸出級，峰值電流高達 20 A，滿足高功率開關的要求，并具有 DESAT 保護功能。