一、震蕩電路

??下午，對于這款MOS管電路進行了實驗測試。通過對電路中的元器件參數進行調整，可以在特定的柵極偏置電壓下，發現電路可以產生震蕩。下面，再利用LTspice對這個電路進行測試，查看一下電路震蕩對應的柵極偏置電壓的規律。

二、LTspice仿真

??在LTspice中建立仿真電路。兩個電感都是 100微亨，兩個電容都取 1000pF，R1偏置電阻取10kΩ，電壓源V2 可以設置MOS管的偏置電壓。進行仿真，觀察MOS管漏極電壓、電流曲線。可以看到，電路在1.8ms之后開始震蕩，展開震蕩波形 ，MOS管漏極電壓為正弦波，這與實際觀察到的波形相似。后面，改變偏置電壓，查看震蕩波形的幅度變化。

??設置偏置電壓從3.35V逐步上升到4.45V，每隔0.01V變化一次，獲得111次仿真結果。將仿真數據從LTspice中導出。繪制出不同偏置電壓與輸出信號幅度之間的關系。可以明顯看到，偏置電壓只有在 3.4V到3.6V 這0.2V的區間之內電路才震蕩。再次仿真，可以看到該電路震蕩對應的偏置電壓范圍是有限的。這說明，這個電路震蕩，需要設置偏置電壓調整電位器。便于在實際調試過程中，能夠選擇電路最佳的工作狀態。

三、參數影響

??修改電路參數，增加C2的容值，從1000pF 提高到 2000pF。測試偏置電壓與電路輸出信號的幅值。可以看到電路偏置電壓工作范圍增加了。在仿真偏置電壓范圍之內，電路都能夠工作。可以看到當偏置電壓超過3.35V之后，電路開始震蕩，直到3.8V之后，電路依然工作。將仿真偏置電壓上限提高到8V，這樣才能夠看到電路偏置電壓范圍。從統計的結果來看，電路工作偏置電壓范圍增加了。特別是，輸出幅值與偏置電壓之間呈現比較復雜的變化關系。

??將電路中C1的電容，從1000pF降低到500pF，重新進行仿真。可以看到震蕩信號的頻率增加了。對應的偏置電壓的范圍沒有太大的改變。這說明C1的電容只對輸出信號的頻率有較大的影響，但是對于電路偏置電壓沒有影響。

??繼續增加C2的容值，將它提高到8000pF。仿真顯示，輸出信號的幅值也增加了。同時，對應的偏置電壓范圍也提高了。在偏置電壓9V之內都震蕩。也就是從3.3V之后，電路就能夠震蕩。為了獲得偏置電壓范圍，將仿真中偏置電壓變化范圍擴展到 12V。可以看到當電壓超過10V 之后，輸出停止震蕩。繪制出輸出信號的幅度與偏置電壓之間的關系，發現在C2容值提高到8000pF之后，電路工作偏置電壓范圍大大擴大了。并且在10.2V左右，輸出信號的幅度達到一個峰值，提高到80V。

??將C1的容值降低，取值為200pF。仿真波形顯示，輸出信號的頻率增加了。信號的幅度大體上沒有變化。偏置工作電壓范圍也基本維持不變。

※ 總??結 ※

本文通過LTspice仿真了MOS震蕩電路工作特性。電路中C1影響輸出信號的頻率。C2的容值增加，一方面可以增加輸出信號的幅值，另外一方面，也擴展了電路偏置電壓范圍。