近日，蘇州晶和半導體科技有限公司宣布完成天使輪融資。本輪融資由季華璀璨投資、恒越創投、源慧投資、蘇州納維科技及荷塘創投聯合投資，具體融資金額未披露。
蘇州晶和半導體科技有限公司是由國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）與江蘇第三代半導體研究院孵化成立，是一家專注于寬禁帶半導體材料異質集成與高端裝備自主研發的高新技術企業。公司以攻克“常溫超高真空直接鍵合”這一國際卡脖子技術為使命，致力于打造全球領先的異質材料集成技術平臺與專用裝備制造商。
日前，9月25-26日，Flink啟明產鏈聯合國家第三代半導體創新中心（蘇州）、廈門大學、甬江實驗室共同舉辦2025 先進封裝及高算力熱管理大會。國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）首席科學家 梁劍波教授，報告分享聚焦 “常溫直接鍵合技術在先進封裝與熱管理中的應用與發展”，深入探討該技術在提升封裝密度、優化熱傳導效率方面的核心優勢，以及在不同應用場景下的產業化落地路徑與潛力。（詳情點擊：【Semi-N 2025】感謝相伴！500 + 精英齊聚蘇州！2025 先進封裝及高算力熱管理大會，圓滿落幕）
此外，在第十五屆中國國際納米技術產業博覽會上，西安電子科技大學教授、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）主任郝躍教授發布了第三代半導體裝備國產化研發聯盟成果，其中由梁劍波博士帶領晶和科技團隊研制的“超高真空常溫直接鍵合技術與裝備”成功入選。
該裝備可在4英寸多晶金剛石上實現氮化鎵等半導體材料的原子級界面鍵合，現已在11家單位推廣應用。為應對更大市場需求，晶和科技正全面推進12英寸高端型號研發，面向高功率射頻芯片、新能源汽車電控模塊、硅光子器件及先進封裝等領域，為后摩爾時代異質集成技術提供關鍵支撐。
公司核心產品RTDB系列超高真空常溫直接鍵合裝備，已成功覆蓋2至8英寸機型，突破了金剛石、GaN、SiC等高熱導材料在鍵合中面臨的熱膨脹失配、界面熱阻高和良率低等難題，關鍵性能指標達到國際先進水平。
本次融資將主要用于晶和半導體的技術研發、產品迭代及市場拓展。投資方對晶和半導體的技術實力和市場前景表示高度認可，并期待通過此次合作，共同推動半導體產業的發展。
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來源：晶和科技
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