近日，安森美（onsemi）正式宣布，已與全球領先的半導體制造商格芯（GlobalFoundries，GF）簽署合作協定。雙方將基于格芯先進的200毫米（8英寸）增強型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）制程技術，共同開發下一代氮化鎵功率元件。
圖片來源：安森美公告截圖
安森美攜手格芯研發下一代氮化鎵技術
此次合作首波將推出650V高壓元件，預計于2026年上半年提供樣品，展現雙方在第三代半導體領域的強大研發動能。
在應用布局方面，這項合作開發的650V GaN產品展現了極廣的市場覆蓋度。在AI資料中心領域，該元件將成為高密度服務器電源及DC-DC 轉換器的核心；在電動汽車市場，則可優化車載充電機（OBC）與動力轉換系統的效能。此外，該技術亦將延伸至能源基礎設施，包括微型光伏逆變器與儲能系統，并在工業與航空航天領域為精密電機驅動器提供卓越的熱管理解決方案。
隨著生成式AI的爆發式成長，全球資料中心對電力密度的需求急劇攀升，傳統硅基功率元件已面臨效率提升的瓶頸。安森美透過此次合作，將其業界領先的硅基驅動器、控制器與強化散熱封裝技術，與格芯的650V GaN技術平臺結合。
GaN元件具備極高的開關頻率與雙向導通特性，能有效減少零組件數量并縮小系統尺寸。安森美企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan指出，這些創新將助力客戶在AI服務器與航天應用等嚴苛場景下，構建體積更小、能效更高的功率系統。
安森美SiC/GaN產能擴張與IDM供應鏈策略
觀察兩家巨頭的近期動態，安森美汽車方案事業部負責人在12月11日的發言中披露，公司正推進SiC襯底與器件端的全面擴產，并已與頭部車企簽訂長期供貨協議（LTSA），2025年SiC器件營收占比目標提升至12%—15%，這一增長主要來自800V平臺主驅與車載高壓系統的需求拉動。
技術層面，安森美基于M3e EliteSiC?技術的最新功率模塊可實現低于4nH的雜散電感，配合技術優化實現1.4mΩ的內阻，導通損耗較前幾代產品降低30%，關斷損耗最多可降低50%，性能優勢顯著。
在GaN領域，公司正加速車載OBC與數據中心電源應用的落地，結合垂直GaN（vGaN）技術與封裝優勢，提供700V/1200V高壓器件樣品，有效解決高頻開關與能效瓶頸。
#安森美 強調，SiC與GaN的產能規劃將與EliteSiC生態系統深度綁定，通過IDM模式保障從襯底到器件的全鏈可控，實現高可靠交付與成本優化的同步推進。
近期安森美剛宣布與汽車大廠佛維亞海拉（FORVIA HELLA）擴大技術結盟，并獲得董事會批準60億美元的新股票回購計劃，展現對 AI 驅動營收成長的強烈信心。
透過此項合作，安森美進一步鞏固了其涵蓋低壓、中壓至超高壓垂直GaN的全譜系技術領先地位。隨著樣品計劃于2026年上半年釋出，雙方將加速推動高效能功率元件的量產規模，為全球潔凈能源與智慧運算市場提供更強大的技術支撐。
格芯承接臺積電GaN工藝與硅光子純代工轉型
#格芯 則持續強化全球供應鏈韌性，除了近期宣布投入11億歐元擴建德國德勒斯登晶圓廠，亦積極在美國本土布局先進制程。格芯首席商務官Mike Hogan表示，透過與安森美的策略合作，雙方將在AI與電氣化浪潮中，共同建構更具韌性且高效的半導體供應鏈。
另外，值得注意的是，格芯近期在氮化鎵（GaN）領域展現了強大的領跑野心，透過戰略收購與技術授權快速擴張版圖。今年11月，格芯正式宣布獲得#臺積電 650V與80V的氮化鎵技術授權，此舉別具戰略意義。由于臺積電預計將在2027年淡出GaN代工市場，格芯藉此直接承接了領先的工藝規程，并計劃在美國佛蒙特州廠區進行量產，目標是成為美國本土最大的GaN生產基地。
與此同時，格芯也與GaN龍頭#納微半導體（Navitas）達成深度結盟，雙方將針對AI資料中心與電網基礎設施，共同開發更高功率密度的解決方案。
圖片來源：格芯新聞稿截圖
在硅光子技術方面，格芯正全力轉型為全球最大的硅光子純代工廠，劍指AI資料中心的核心需求。透過收購新加坡先進微鑄造（AMF），格芯顯著增強了光通信芯片的制造能力，這類芯片對于AI服務器之間的高速數據傳輸至關重要。此外，透過與新加坡科技研究局的合作協定，格芯正致力于開發超高速光傳輸技術，利用光學互聯解決目前AI算力集群中電信號傳輸造成的發熱與延遲問題，從根本上降低AI運算的能耗瓶頸。
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