【光電集成】芯片失效機理（五） —— 電遷移/EM（Electron Migration）(概念/危害/機理/測試)

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這幾篇是之前寫的，反饋還不錯，值得一讀：

芯片失效機理 —— 經時擊穿/TDDB （Time Dependent Dielectric Breakdown） · 前段

芯片失效機理 — 熱載流子注入/HCI（Hot Carrier Injection）（概念、機制、預防及退化模型）

芯片失效機理 —— 負偏置溫度不穩定性/NBTI (Negative-Bias Temperature Instability)

芯片失效機理（四） —— 表面反型（Surface inversion - Mobile ions）

Reference：

• https://www.synopsys.com/glossary/what-is-electromigration.html
• https://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/electromigration/theory.php
• JEP122
• http://www.aecouncil.com/Documents/AEC_Q100_Rev_J_Base_Document.pdf（ACE_Q100）
• https://zhuanlan.zhihu.com/p/97451254

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