近日，晶盛機電子公司浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡稱“浙江晶瑞SuperSiC”）憑借自主搭建的12英寸中試線，成功突破了12英寸碳化硅襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關鍵技術。
12寸碳化硅襯底實現厚度均勻性（TTV）≤1μm
碳化硅作為第三代半導體的核心材料，正從成熟的6英寸和8英寸晶片向12英寸邁進。12英寸碳化硅因其較小的邊角損失、更高的出片率以及良好的產線兼容性，成為行業競爭的新焦點，尤其在光學和先進封裝應用中，顯示出強大的市場潛力。特別是在AR領域，碳化硅以其高折射率、高熱導率和低吸收率等特性，已成為光波導鏡片的理想選擇。2024年，行業內首款AR眼鏡上市，搭載碳化硅鏡片和衍射光波導，結合全彩Micro-LED光機，不僅提升了光學效率，還實現了70°大視場角，引發了行業的廣泛關注，國內企業也加速布局這一領域。
然而，12英寸碳化硅的技術挑戰同樣嚴峻。由于后道光刻工藝對高精度的要求，12英寸光學碳化硅對TTV和LTV提出了極高的控制標準，尤其在先進封裝領域，中介層不僅需要良好的散熱性能，還必須與芯片和基板精準鍵合，TTV和LTV的控制需達到1μm級。由于碳化硅的莫氏硬度接近鉆石，精密加工設備和工藝面臨較大瓶頸，成為產業發展的關鍵制約因素。
憑借在12英寸硅片和藍寶石領域的技術積累，晶盛機電為浙江晶瑞SuperSiC提供了全流程的技術支持，涵蓋晶體加工、激光切割、減薄、拋光、清洗和檢測等環節，并實現了設備100%國產化。在攻克12英寸碳化硅TTV控制的難題時，雙方的研發團隊在減薄設備剛性、研磨與拋光盤形控制以及減薄-研磨-拋光工藝對面形影響等多個維度展開協同攻關，最終成功實現了TTV≤1μm的關鍵技術突破。
目前，浙江晶瑞SuperSiC已開始小批量出貨12英寸SiC襯底。未來，公司將繼續聚焦大尺寸碳化硅技術的突破與產業化應用，加速12英寸碳化硅的規?；€定生產，力爭在碳化硅領域實現從跟跑到領跑的技術跨越。
