芯聯集成發布全新碳化硅G2.0技術平臺

11月16日，芯聯集成宣布正式發布全新碳化硅G2.0技術平臺，采用了8英寸更先進制造技術，已達到全球領先水平。

據介紹，該技術平臺通過器件結構與工藝制程的雙重優化，實現“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標，全面覆蓋電驅與電源兩大核心應用場景，可廣泛應用新能源汽車主驅、車載電源及AI數據中心電源等廣闊市場。

在電驅領域，#芯聯集成 碳化硅G2.0電驅版憑借更低導通損耗與優異開關軟度，功率密度提升20%，可顯著增強新能源汽車主驅系統動力輸出與能效表現，為整車續航提升提供關鍵支撐。

圖片來源：芯聯集成

在電源場景中，芯聯集成碳化硅G2.0電源版針對性優化寄生電容設計，通過封裝優化強化散熱，開關損耗降低高達30%，兼具強化的動態可靠性設計，實現電源轉換效率與系統功率密度大幅提升，完美適配SST、HVDC等AI數據中心電源及車載OBC電源需求。

資料顯示，芯聯集成成立于2018年，是一家專注于功率、傳感和傳輸應用領域，提供模擬芯片及模塊封裝的代工服務的制造商。主要從事MEMS、IGBT、MOSFET、模擬ICMCU的研發、生產、銷售，為汽車、新能源、工控家電等領域提供完整的一站式芯片系統代工方案。

11月12日，芯聯集成旗下產業投資機構芯聯資本宣布完成首期12.5億元主基金募集。該支基金整體規模預計超15億元，當前重點布局半導體上游(設備、材料和零部件）、設計公司以及下游人工智能、機器人和新能源等硬科技相關領域。

在財報表現方面，10月27日芯聯集成發布了2025年第三季度財報，數據顯示，第三季度公司實現營收19.27億元，同比增長15.52%。受第三季度良好業績帶動，公司前三季度累計營業收入達54.22億元，同比增長19.23%，實現毛利率3.97%，連續五個季度正毛利增長，盈利基本面持續夯實。

此外，據介紹，芯聯集成自主研發的8英寸SiCMOSFET器件已送樣歐美AI公司，這也標志著芯聯集成在“新能源+AI”雙賽道布局中取得關鍵突破。