7.5億元項目開始試產，將顛覆碳化硅襯底生產技術？

2020年7月6日，液相法生長碳化硅半導體襯底項目落戶中關村順義園。據“三代半風向”了解，該項目是中科院物理所科技成果轉化項目，由晶格領域實施運營，分三期落地實施，計劃總投資7.5億元。一期投資5000萬元，在中關村順義園租賃廠房1050平方米，建設4—6英寸液相法碳化硅晶體中試生產線。

據介紹，該項目技術將顛覆傳統物理氣相傳輸工藝生長技術，可實現碳化硅襯底生長的低成本、高效率、高質量制備。

此前，“三代半風向”就報道了北京順義第三代半導體產業標準化廠房項目的建設情況（.點這里.），此外，北京還匯集泰科天潤、天科合達、世紀金光等多個碳化硅項目。

• 2020年8月17日，天科合達第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目在北京市大興區舉行開工儀式。 項目總投資約9.5億元，新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化硅襯底生產線，項目計劃于2022年年初完工投產，建成后可年產碳化硅襯底12萬片。

• 2020年2月，中關村科技園區順義園管理委員會與泰科天潤簽訂項目入區協議。該公司將整體遷入順義區，在臨空國際板塊占地20畝，總投資4億元，建設運營總部及應用于新能源汽車、國家電網等領域的碳化硅器件生產基地，項目建設期2年。

• 2018年2月1日，6英寸碳化硅器件生產線在北京世紀金光半導體有限公司成功通線。

• 2015年3月，中科院半導體所、中科院物理所、北京天科合達藍光半導體有限公司等聯合承擔的北京市科委重大項目“1200V/20A碳化硅二極管研發”通過專家驗收。 通過項目實施，北京地區實現了碳化硅從單晶材料制備、外延材料生長到二極管芯片研制及其在電力系統應用驗證的全鏈條國產化，并形成了年產能2萬片4英寸SiC晶片，30片4英寸外延片，年產10萬只SiC二極管及1萬只碳化硅模塊的小批量生產能力，國產碳化硅器件已經初步通過光伏逆變器的應用驗證。

相關閱讀：

參編單位集結號！2021第三代半導體白皮書調研啟動

中科鋼研又有大動作！跟特斯拉、大眾、榮威有關？

內蒙古新增9億元碳化硅項目！新疆、云南等省份也在布局