3月18日晚間，長光華芯發布公告稱，公司全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司（下稱“研究院”）擬出資800萬元，認購關聯方蘇州星沅光電科技有限公司（下稱“星沅光電”）新增注冊資本62.5萬元。本次增資構成關聯交易，已履行相關審議程序。
公告顯示，#星沅光電 本輪總增資2400萬元，除研究院外，另有3家機構合計出資1600萬元。增資前，研究院持有星沅光電20%股權；增資完成后，其持股比例將提升至23.07%，星沅光電注冊資本將由625萬元增至812.5萬元，其他股東均放棄優先認購權。
圖片來源：長光華芯公告截圖
此次增資的核心關聯的是化合物半導體賽道。公告明確，星沅光電核心業務為高端磷化銦（InP）激光器芯片、器件及模塊的研發生產，而磷化銦是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的重要品類，與長光華芯主業的砷化鎵（GaAs）同屬化合物半導體材料體系。
#長光華芯 采用IDM模式進行半導體激光芯片的研發、生產與銷售，構建了砷化鎵、磷化銦等五大材料體系，建立了邊發射和面發射兩大工藝技術和制造平臺，是全球少數幾家具備6寸線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業之一。
長光華芯表示，公司本次向關聯方增資系為了保障星沅光電的產線建設與日常運營資金需求，加快開發高端磷化銦激光器芯片、器件及相關模塊、子系統，提升公司核心競爭力。
據悉，#磷化銦 具有優異的光電特性，是AI數據中心高速光通信、激光雷達等領域的核心材料，屬于當前高景氣的化合物半導體賽道。長光華芯通過本次增資，實現從成熟GaAs激光芯片向高增長InP芯片的延伸，完善化合物半導體全產業鏈布局，助力國產高端光芯片替代。
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