昨天，一家國外機構對外展示了8英寸硅基GaN的最新成果——其工作電壓達到1200V，硬擊穿電壓超過1800V，有望打開電動汽車等高電壓應用的大門，“GaN爆發(fā)臨界點已到”？
據(jù)“三代半風向”了解，豐田集團已經(jīng)投資了該成果的關鍵技術，而日本信越已經(jīng)獲得了相關專利授權，將大規(guī)模生產(chǎn)該產(chǎn)品。相比SiC，該技術也更具成本優(yōu)勢，接下來SiC是否會受影響？
8英寸硅基GaN
電壓突破1200V
圖釋：Imec的1200V緩沖層在25°C時顯示的垂直泄漏電流低于1μA / mm2，在150°C電壓高達1200V時，垂直泄漏電流低于10μA / mm2，擊穿電壓在25°C和150°C時均超過1800V。
imec表示，多年來，8英寸的硅基GaN技術已取得了巨大進步，但是要獲得650V以上工作電壓一直是一個挑戰(zhàn)，因為要在200mm的硅晶片上生長足夠厚的GaN緩沖層很困難。
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據(jù)透露，他們能夠?qū)崿F(xiàn)高擊穿電壓的關鍵在于，采用了AIXTRON的設備，從而可以對復雜的外延材料疊層進行精心設計，并還結合使用了Qromis公司的200mmQST?襯底。
此前，AIXTRON已經(jīng)在imec的工廠中安裝了AIXTRON G5 + C，接下來他們將會把imec的技術導入到AIXTRON的MOCVD反應器中，以實現(xiàn)快速的產(chǎn)量提升。
除了AIXTRON，2017年Kyma 也曾宣布可以使用K200 HVPE設備，在Qromis的QST襯底上生長8英寸GaN。
另外，imec正在探索垂直GaN器件，以進一步擴展GaN技術的電壓和電流范圍。
豐田已投資
信越已獲得授權
據(jù)介紹，Qromis總部位于美國硅谷，于2015年成立，并開始QST襯底的商業(yè)化。
2020年1月，Qromis獲得了由日本SPARX的未公開投資，其中很大一部分來自豐田汽車公司。
同時，Qromis還與日本信越化學簽署了專利授權協(xié)議，信越負責生產(chǎn)QST襯底和GaN-on-QST外延晶片。而信越將借助QST補充其現(xiàn)有的GaN-on-Si產(chǎn)品陣容。
另外，Qromis還有另一個代工合作伙伴Vanguard國際半導體（VIS），同時還將其關鍵技術授權給了臺灣的晶圓代工廠進行制造。
目前，Qromis已經(jīng)發(fā)布了六英寸和八英寸的QST襯底，以及具有5微米和10微米GaN層的“模板”，產(chǎn)品良率為90%。
GaN臨界點已到？
SiC會被替代？
他表示，“現(xiàn)在GaN可以成為20V-1200V工作電壓范圍內(nèi)的首選技術，而且由于GaN功率技術可在大產(chǎn)能的CMOS晶圓廠中用較大晶圓上進行處理，所以相比昂貴的SiC技術，它具有顯著的成本優(yōu)勢?！?/span>
對于這項技術，大家怎么看？在下面說出你的觀點。
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