為更好地匯聚高水平研究力量，加強對外開放和合作交流，推動任務目標的高質量完成，中國電子科技集團公司第五十五研究所現發布專項對外合作指南，歡迎高等院校、科研機構和行業企業的研究人員踴躍申報。
指南一：
課題名稱：基于碳化硅器件的中壓功率轉換裝置建模與設計
密級：公開
研究目標和內容：本項目面向中壓配電網中儲能、固態變壓器等新能源規模化接入需求，依托碳化硅(SiC)器件的技術優勢，從成本、能效、功率密度、可靠性等方面綜合比較，揭示基于不同電壓等級的SiC器件的中壓功率轉換裝置的固有優缺點，并開展中壓功率轉換裝置的關鍵技術研究及工程驗證。研究適用于SiC器件的三電平變換器拓撲結構，優化主電路參數與絕緣配合方案，提升系統功率密度與運行效率。開發適用的SiC器件驅動電路，研究有源電壓鉗位保護技術，解決多芯片串并聯均壓、短路快速保護等工程難題，保障裝置在復雜工況下的長期可靠運行。研究面向弱電網的構網型控制方法，使裝備具備電壓源外特性，能夠主動支撐電網頻率與電壓，提供虛擬慣量調節與一次調頻功能，提升新能源接入系統的穩定性。建立全系統高精度仿真模型，開展多工況仿真分析與參數優化，在典型中壓配電網示范工程中開展裝備并網運行驗證，測試各項技術指標與實際運行效果。
研究指標：見附件
合作經費：100萬元
研究周期：6個月
指南二：
課題名稱：GaN功率開關器件在工程應用中的失效機理及長期可靠性研究
密級：公開
研究目標和內容：圍繞GaN功率開關器件在主流高功率密度電源模塊中的工程應用場景，開展基于不同電源電路架構的高功率密度集成技術研究，基于GaN器件及多種不同電路拓撲（≥4種），實現多款高功率密度集成電源模塊產品。開展GaN器件在不同電源電路拓撲中實際復雜工況下的熱、電、力等應力（包括單應力、多應力耦合等）分析，提煉出在實際工程應用中針對GaN功率開關器件的可靠性評估方案，以完善當前GaN功率開關器件的可靠性評估標準。開展模塊級產品中GaN器件在熱、電、力等綜合應力下的性能退化及長期可靠性研究，進一步牽引器件層級在性能及可靠性方面的改進與提升。
研究指標：見附件
合作經費：100萬元
研究周期：7個月
指南三：
課題名稱：大電流氮化鎵功率器件動態可靠性測試技術研究
密級：公開
研究目標和內容：為完善氮化鎵功率器件動態可靠性表征分析能力，進一步明確氮化鎵功率器件動態工作下參數變化規律及內在的物理機制，開展氮化鎵功率器件動態可靠性研究，開發動態反偏可靠性測試、硬開關動態電阻可靠性測試、浪涌可靠性測試技術，研究動態反偏、重復硬開關和重復浪涌應力下器件電學參數退化機理及退化模型，建立一套動態可靠性測試與評價方法，為器件高可靠場景應用提供技術依據。
研究指標：見附件
合作經費：90萬元
研究周期：6個月
指南四：
課題名稱：GaN HEMT器件缺陷表征與性能提升
密級：公開
研究目標和內容：針對GaN增強型器件典型結構（pGaN cap和MIS-HEMT等），開展外延材料關鍵結構研究，重點面向摻雜與缺陷分布進行研究，掌握適用于射頻工作的增強型HEMT材料結構設計方法。建立關鍵結構缺陷與界面態計算分析方法，揭示增強型射頻器件在特定應用場景下性能退化和失效物理機制，并建立器件模型。對異質結材料二維電子氣濃度調制機制開展研究，探索增強型器件實現新方案。
研究指標：見附件
合作經費：80萬元
研究周期：6個月
指南五：
課題名稱：基于人工智能算法的SiC光控開關結構智能化設計技術研究
密級：公開
研究目標和內容：針對高功率應用場景，開展基于人工智能算法的SiC光控開關快速設計與優化研究。建立能夠涵蓋襯底載流子壽命、器件電容、靜態電壓電流（VI）特性及內部電場分布的智能化模型，實現對單脈沖和重頻激光觸發下器件瞬態性能的快速預測。通過AI算法替代傳統耗時的仿真手段，尋找最優解的器件結構參數，以提升開關的耐壓能力、響應速度和熱穩定性，形成一套高效的固態開關智能化設計方法。
項目指標：見附件
合作經費：80萬元
研究周期：6個月
指南六：
課題名稱：脈寬可調節高峰值功率光調控系統研究
密級：公開
研究目標和內容：光信號作為光控器件的觸發源，是決定光控器件響應波形的關鍵。為適配多種材料體系光控器件的敏感波長，實現光控器件的脈寬可調制輸出，需研制脈寬可調節的多波長、高峰值功率光調控系統。擬通過種子調制模塊、光纖放大（或固體放大）模塊、倍頻模塊等集成，搭建波長與脈寬可調節并穩定輸出的光調控系統，確保可調制輸出光控器件研究的順利開展。
研究指標：見附件
合作經費：80萬元
研究周期：6個月
指南七：
課題名稱：基于人工智能技術的射頻SiP模塊三維逆向建模研究
密級：公開
研究目標和內容：本課題旨在研究射頻SiP模塊的智能三維逆向建模，實現可用于數字樣機交付的建模能力。解決現有建模流程中轉換效率低下、工作流程不規范等問題，同時為多物理場協同仿真與設計驗證提供模型基礎與工具鏈支持。開發兼容主流設計環境（如Altium Designer的.PcbDoc）及通用CAD圖紙（.dwg）的數據接口，實現電路裝配圖高精度幾何特征提取。基于人工智能技術，從二維圖紙中自動識別、分類并提取關鍵結構特征，包括芯片布局、外形輪廓及鍵合引線等幾何參數，為三維重構提供無損數據基礎。構建集成現有設計規則、工藝知識與射頻封裝特征的參數化組件庫與知識庫。在現有典型三維結構及數字化裝配資源下，研發二維數據與三維模板的智能映射與自動裝配算法，實現從布局到完整三維裝配體的一鍵生成，確保模型具備分層材料屬性、端口定義及仿真網格就緒能力。
研究指標：見附件
合作經費：40萬元
研究周期：6個月
指南八：
課題名稱：高深寬比通孔電鍍銅填充數值仿真研究
密級：公開
研究目標與內容：針對直通孔銅致密填充技術研究缺乏相應理論基礎的問題，通過理論分析及數值仿真研究通孔蝴蝶型填充機理，并建立相應仿真模型，明確電鍍液組分及工藝參數對通孔銅填充的調控機制。
研究指標：見附件
合作經費：20萬元
研究周期：6個月
1、申請的課題研究應滿足指南信息所列研究目標、技術指標等要求；申請經費原則上不超過指南信息所列的參考經費，具體經費安排按照競爭擇優后確定。
2、不受理因學術不端、科研誠信不佳、重大失泄密等問題進入黑名單而尚未解禁的申請人和申請單位。
3、同一法人單位針對同一申報指南，不得重復提交申報申請。
4、申請人按照模板（見附件）認真填寫申請書，并于2026年4月27日前提交材料。提交材料包括：（1）紙質課題申請書2份，須在封面和單位審查意見處加蓋單位公章，寄送至五十五所；（2）Word版課題及PDF掃描版申請書發送至各指南聯系人郵箱（文件名按照“課題名稱-單位名稱-負責人”命名）。
1、評審過程分為形式審查、初審和會議評審。
2、以下情況視為形式審查不通過：（1）申報材料不全；（2）申請課題名稱等與指南信息不符；（3）未按要求加蓋申請單位公章、或公章與申請單位不符；（4）其他明顯不符合格式要求的情況。
3、申報書的初審，每個課題擇優選取不超過3家單位參加會議評審。
4、申報書的會議評審，采取現場答辯方式，申請單位必須現場答辯，否則視為棄權，采取專家打分形式擇優推薦擬立項單位。會議評審具體時間地點另行通知。
5、會議評審通過原則：得分高于70分，且三分之二（含）以上專家同意通過評審；
6、會議評審結果通過電話通知。
指南一聯系人：程老師，
025-68115759/18502528867/
mkdlsyb@cetc.com.cn
指南二聯系人：顧老師，
13814009040/
guliming@cetc.com.cn
指南三聯系人：王老師，
68005168-8252/13020029278/
hhwb@cetc.com.cn
指南四聯系人：朱老師，
68005168-6305/18512527343/
zhuguangrun@cetc.com.cn
指南五聯系人：魏老師，
025-62115038/18205186207/
weizelu@cetc.com.cn
指南六聯系人：朱老師，
17854160876/
sj6s2@cetc.com.cn
指南七聯系人：李老師，
025-68005965/18795996534/
mkdlsyb@cetc.com.cn
指南八聯系人：楊老師，
025-68005057/18506936980/
xuda55@cetc.com.cn
通信地址：江蘇省南京市江寧區正方中路166號。
來源：大柳樹防務/中國電子科技集團公司第五十五研究所
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