5月26日，意法半導體宣布擴展其STPOWER PowerGaN產品組合，新增7款700V氮化鎵功率晶體管，面向AI服務器、機器人、工業電源及智能電網轉換器等中高功率應用場景。
7款新品覆蓋6A-29A，導通電阻低至53mΩ
此次發布的產品系列為增強型高電子遷移率晶體管，全部采用700V耐壓等級設計，旨在支持高可靠性大功率運行和高頻拓撲結構。
7款器件覆蓋6A至29A連續電流范圍，典型導通電阻值介于53mΩ至270mΩ之間。
具體型號及參數如下：
SGT350R70GTK（6A，270mΩ），采用DPAK封裝；
SGT070R70HTO（26A，53mΩ），采用無引腳TO-LL封裝；
SGT080R70ILB（29A，60mΩ），采用PowerFLAT 8×8封裝；
SGT105R70ILB（21.7A，80mΩ），采用PowerFLAT 8×8封裝；
SGT140R70ILB（17A，110mΩ），采用PowerFLAT 8×8封裝；
SGT190R70ILB（11.5A，165mΩ），采用PowerFLAT 8×8封裝；
SGT240R70ILB（10A，180mΩ），采用PowerFLAT 8×8封裝；
意法半導體指出，7款器件均具備GaN寬禁帶技術的固有優勢，包括極低內部電容、低柵極電荷，以及零反向恢復電荷。其中，柵極電荷與導通電阻乘積優值指標顯著優于傳統硅器件。
在封裝層面，TO-LL和PowerFLAT版本均配備開爾文源極連接，將柵極控制電路與主功率路徑分離，以最大化抗噪能力、保護柵極驅動器并保留時序余量。所有封裝均為業界成熟的表面貼裝形式，已獲主流電子設計自動化工具鏈廣泛支持。
可直接替代MOSFET，實現更高頻拓撲
意法半導體方面表示，新款PowerGaN器件既可作為現有功率轉換電路中MOSFET的直接替代方案，也支持全新高頻率拓撲設計。得益于GaN器件在更高開關頻率下運行的能力，設計人員可顯著縮減磁性元件和無源器件的尺寸，從而構建更緊湊的功率級并提升整體功率密度。
功率半導體設計人員評估新器件時，通常從以下關鍵指標入手：導通電阻決定導通損耗，柵極電荷影響開關損耗，反向恢復電荷則關系到體二極管行為。GaN器件在三個維度均展現出對硅基方案的系統性優勢，這使其尤其適用于對效率、功率密度和散熱有嚴格要求的場景。GaN器件在較高開關頻率下可顯著降低磁芯和銅損，同時因零反向恢復特性消除了硬開關階段的額外功耗，設計人員得以采用更緊湊的磁性元件和更小的散熱器。
在應用場景層面，這7款700V GaN器件面向正處于快速擴容期的市場。AI服務器單機柜功率已從傳統數十kW級向MW級躍進，機器人關節驅動和工業電源模塊對功率密度和熱管理的要求持續提升，智能電網中分布式能源接入所需的雙向轉換器同樣對高壓、高頻功率器件產生新的需求。
意法半導體電力與分立產品子部門執行副總裁Mario Aleo表示：“通過新增700V器件擴展PowerGaN產品組合，我們將氮化鎵技術的優勢延伸至中功率和高功率應用領域。”
他還進一步指出，公司將繼續擴展該產品組合的電壓等級和功能，“鞏固ST對面向未來AI服務器、人形機器人、工業電源以及包括家電在內的高級消費電源應用的氮化鎵技術承諾。”
聯盟解讀
意法半導體此次批量擴充700V GaN產品線，將氮化鎵技術的應用邊界從中低壓快充、適配器等消費級市場，推進到AI服務器電源、機器人驅動、智能電網等中高功率工業領域。意法半導體此次統一推出覆蓋6A至29A范圍的700V GaN組合，在設計導入層面為電源工程師提供了完整的器件選型階梯，降低了評估多供應商分散物料的門檻。
這一產品組合的寬度本身也向行業傳遞了信號：寬禁帶功率半導體正處于從中壓小功率向高壓中高功率加速滲透的關鍵階段，AI算力基礎設施帶來的供電架構變革正在為氮化鎵器件開辟繼消費快充之后的第二增長曲線。從需求側看，數據中心供電從傳統12V/48V向800V HVDC架構躍遷，使得100V-650V等級GaN器件獲得系統性導入場景；從供給側看，多家IDM和Fabless廠商已在該電壓區間完成產品覆蓋，市場競爭格局正在形成。
信息來源：www.st.com
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