5月31日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電近日在公開(kāi)場(chǎng)合表示，從智能手機(jī)制造商到AI數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商，客戶越來(lái)越重視能夠最大限度降低額外能耗的性能提升。
這一變化也反映在臺(tái)積電的制程技術(shù)規(guī)劃中。預(yù)計(jì)即將到來(lái)的A14工藝相比N2工藝，性能可提升20%以上，同時(shí)功耗降低30%。
A14將采用第二代GAA晶體管，并借助NanoFlexPro技術(shù)進(jìn)一步提高設(shè)計(jì)靈活性。該工藝預(yù)計(jì)于2027年末進(jìn)行試生產(chǎn)，2028年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
不過(guò)，首發(fā)的A14制程工藝不支持“超級(jí)電軌”（SuperPowerRail，SPR）背面供電架構(gòu)。臺(tái)積電計(jì)劃在2029年推出加入背面供電的版本，以滿足高性能客戶端和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的需求。
盡管晶體管密度提升仍是臺(tái)積電發(fā)展路線圖的核心，但先進(jìn)封裝、芯片堆棧以及光子技術(shù)等在推動(dòng)效率提升過(guò)程中的重要性日益凸顯。
從臺(tái)積電規(guī)劃的A13和A12工藝來(lái)看，提升能效已成為下一代AI芯片比持續(xù)縮小晶體管尺寸更為緊迫的優(yōu)先事項(xiàng)。
