5月7日，穩懋半導體發布公告稱，計劃3年內投資100億新臺幣（約23億人民幣），在臺灣南科園建設廠房，今年下半年開工，預計3年后量產。
2020年12 月，穩懋預估南科園廠房投入總價款不超過26.5億新臺幣（6.13億人民幣），因此，加上這次追加的投入，一期廠房投資額約為30億人民幣。
據介紹，穩懋第一階段將興建包括一棟芯片廠及周邊的辦公空間、廢水處理、機電等相關廠務設施。
穩懋董事長陳進財在2020年10月表示，整個南科園的建設投入將達到850億新臺幣（約196億人民幣），建設完成后，穩懋的南部產能將是北部總廠區的2倍以上，月產能將超10萬片。
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不過，貌似這次擴產跟氮化鎵關系不大。據“三代半風向”了解，目前穩懋的第3代半導體產值相對仍低，從產能來看，目前穩懋月產800片氮化鎵晶圓就足以滿足大部分客戶的需求，氮化鎵占穩懋營收也僅約5%；相較之下，砷化鎵的月產能達4萬片。
在氮化鎵方面，穩懋也早有準備。陳進財曾表示，“穩懋10年前就開始研究第3代半導體，3年前就開始交貨。”
據“三代半風向”了解，在中國臺灣，代工廠穩懋、臺積電和環球晶在2010年就進入RF GaN 領域。
2014年，穩懋的NP25技術投入生產，該技術采用0.25μm柵極GaN-on-SiC工藝，它是在4英寸的碳化硅襯底上制造，可工作在28V的漏極偏置下。NP25在10GHz時可提供5W / mm的飽和輸出功率，19dB的線性增益和超過65％的功率附加效率。
2018年6月，穩懋又發布了0.45μm柵極技術——NP45-11，該技術在100毫米的碳化硅襯底上制造，可工作在50伏的漏極偏置下。在2.7 GHz頻帶中，該技術可提供7瓦/毫米的飽和輸出功率，18 dB的線性增益和超過65％的功率附加效率，而無需諧波調諧。
2019年6月，穩懋發布了0.15μm柵極技術——NP15-00，可工作在20V的漏極偏置下，在29GHz頻帶中，NP15-00提供3W / mm的飽和輸出功率，具有13dB的線性增益，并且效率高出50％，而無需諧波調諧。
那么，穩懋是如何實現這樣的性能？
首先，穩懋創造了一種GaN MMIC工藝，可以實現厚度為4毫米的氣橋金屬和1微米的全局互連金屬。
圖：穩懋的GaN工藝包括：鑲嵌T型柵極和疊加的源極耦合場板。4 μm厚的空氣橋增強了電流處理能力，并提供了高Q電感器。
其次，穩懋重新設計了GaN-on-SiC HEMT的背面處理，這包括：對SiC和GaN襯底進行高速蝕刻；改進晶圓封裝介質，其中包括專用的粘合蠟和襯底；處理高速蝕刻過程中副產物的形成以及隨后要重復去除的副產物；以及背面籽層優化，可在寬度小于30μm的100 mm深通孔中獲得良好的附著力和保形覆蓋。
另外，穩懋的其他加工技術還包括對拆卸高應力減薄晶片方面進行改進；采用對極硬的SiC材料進行高速鋸切，使得碎屑最少；優化膠帶材料，并注意控制所有許多流程之間的相互作用。
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