存儲器市場近期籠罩在“英偉達Vera Rubin伺服器機柜存儲器模組用量減半”的負面傳聞中，惟英偉達執行長黃仁勛出面辟謠，直言“看不到存儲器短缺結束盡頭”，并宣布要采購更多SK海力士的存儲器，雙方也將攜手開發下世代存儲器技術。
法人指出，黃仁勛相關談話，粉碎英偉達存儲器用量銳減傳聞，為南亞科（2408）、華邦（2344）等存儲器廠后市吞下定心丸。而英偉達要采購更多SK海力士高頻寬存儲器（HBM）并攜手沖刺下世代技術，臺廠中，臺積電轉投資創意（3443）配合SK海力士持續布局HBM4相關搭配ASIC端IP，將成為大贏家。
黃仁勛指出，目前AI產業需求遠超過供給，供應鏈從晶圓制造、先進封裝到矽光子技術皆處于供不應求態勢，需求量大到難以滿足，研判這種情況將延續多年，加上AI基礎建設仍處于快速擴張階段，全球數據中心投資熱度并未出現降溫跡象。
談到“英偉達Vera Rubin伺服器機柜存儲器模組用量減半”傳聞，黃仁勛更是予以駁斥，強調“看不到存儲器短缺結束盡頭”。
黃仁勛表示，英偉達每年已向SK海力士采購價值數十億美元存儲器，今年采購規模還將大幅增加。
英偉達并宣布，與SK海力士多年期技術合作協議，將共同推進全球AI數據中心所需的下一代存儲器方案。
他強調，SK海力士將繼續是英偉達最大的合作伙伴，雙方已鎖定長期協議，合作范圍也由AI超級電腦擴展至CPU、PC與機器人領域。
英偉達擴大采購SK海力士存儲器并攜手開發下世代存儲器技術，創意（3443）受惠大。創意持續布局HBM4相關搭配ASIC端IP，市場預期，只要英偉達等積極導入搭配HBM4與后續產品，應會帶動云端大咖的自研芯片逐步跟進，創意搶先布局相關IP，有利爭取更多案件。
創意已在去年第1季完成3納米HBM4 12G PHY與控制芯片IP的設計定案，并支援臺積電CoWoS先進封裝技術，并于今年首季完成矽驗證，其2納米HBM4E 16G IP也正開發中，預計今年上半年完成設計定案。創意先前布局ASIC端應用HBM3相關IP，獲多家客戶采用，HBM4領域也不缺席。
投資銀行Bernstein認為，英偉達Vera Rubin平臺開始量產，存儲器價格將續漲，下一代第四代高頻寬存儲器（HBM4）可能在2027年達到每GB 53美元。由于英偉達將選擇把成本轉嫁給顧客，英偉達Vera Rubin NVL72機柜價格可能沖上910萬美元天價（逾新臺幣2.8億元）。
摩根士丹利在早先報告中預估，英偉達Vera Rubin NVL72機柜價格可能約780萬美元（約新臺幣2.4億元），其中存儲器價格將占200萬美元，與GB300機柜的存儲器相比大增435%。
不過，Bernstein認為，摩根士丹利的預估值并未真實反映下一代HBM4存儲器的成本，而其成本可能推升該機柜的終端價格達到每柜910萬美元。
Bernstein指出，780萬美元的數字似乎是“過時的存儲器價格”造成的，而這種脫節源自于HBM價格。“如果我們采用的HBM4價格為每GB 16.6美元，那么我們也將得到類似數字”，但此價格并未反映當前市場行情。
