Intel已經(jīng)與全球第四、中國臺灣第二晶圓代工廠聯(lián)電(UMC)達(dá)成新的合作，繼續(xù)聯(lián)手進(jìn)軍3nm工藝代工。
這也是雙方在12nm代工上共同公關(guān)之后的，又一深度合作。
聯(lián)電2017年放棄了10nm及更先進(jìn)工藝的競爭，專注成熟工藝，一如GlobalFoundries(格芯)，市場份額也一再萎縮，2026年第一季度僅為3.9％，不但根本看不見隔壁的臺積電(72.3％)，更是不如三星(6.5％)、中芯國際(5.1％)。
Intel開啟IDM 2.0戰(zhàn)略后，找來聯(lián)電合作，共同開發(fā)12nm FinFET工藝平臺，使用位于美國亞利桑那州鳳凰城Ocotillo園區(qū)的晶圓廠。
目前，該工藝的設(shè)計(jì)套件預(yù)計(jì)2026年內(nèi)交付客戶，2027年初完成流片，當(dāng)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，主要面向物聯(lián)網(wǎng)、Wi-Fi芯片等市場。
如今再次攜手3nm工藝，也會使用Ocotillo園區(qū)的晶圓廠，但具體哪一座說法不一，有的認(rèn)為是成熟的Fab 12/22/32，有的聲稱是最新的Fab 52。
合作中，Intel將提供強(qiáng)大的制造能力，聯(lián)電則貢獻(xiàn)豐富的成熟工藝代工經(jīng)驗(yàn)，包括客戶資源。
借此合作，Intel可以進(jìn)一步熟悉代工市場和客戶，聯(lián)電則無需巨額投入，就能加入先進(jìn)工藝戰(zhàn)場。
