近日,榮耀正式推出WIN 360W氮化鎵適配器,在功率體積密度和功率重量密度方面實現新的突破。該產品采用氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)雙半導體材料方案,在緊湊機身內實現最高360W持續穩定輸出,為高性能游戲本、移動工作站等設備提供高效供電解決方案。
據了解,該適配器核心功率器件采用了珠海鎵未來科技有限公司提供的氮化鎵技術方案。憑借高效率、低損耗等特點,鎵未來的GaN功率器件為產品實現大功率輸出、小型化設計以及高可靠性運行提供了重要支撐。

近年來,隨著消費電子設備性能不斷提升,對電源適配器的功率密度、轉換效率和便攜性提出了更高要求。作為第三代半導體材料的重要代表,氮化鎵具有高電子遷移率、高擊穿電場和高頻工作能力等優勢,能夠顯著提升電源系統效率,并推動充電設備向更輕、更小、更高功率方向發展。
在技術方案上,榮耀WIN 360W氮化鎵適配器采用鎵未來GaNext系列兩顆G1N65R070PD-H氮化鎵開關管,應用于雙向交錯式PFC電路架構。該器件具備650V耐壓能力,瞬態耐壓可達800V,為360W大功率輸出提供了充足的安全裕量。同時,其導通電阻低至70mΩ,能夠有效降低導通損耗和開關損耗,在保證高效率運行的同時控制發熱水平。
值得關注的是,鎵未來采用的D-mode氮化鎵技術兼容傳統硅MOS驅動方式,相較于增強型氮化鎵器件,可簡化柵極驅動設計,降低系統開發復雜度,為電源設計優化提供更大的靈活性。此外,該器件采用XDFN8×8-8L封裝設計,通過優化散熱路徑和高頻走線布局,有助于提升EMI性能并進一步縮小系統體積。
得益于氮化鎵器件的高頻化優勢,適配器能夠采用更小尺寸的磁性元件和外圍電路,實現整機尺寸僅85×85×33毫米,重量不足420克,在保證360W持續輸出能力的同時兼顧便攜性。
此次榮耀與鎵未來的合作,也體現出消費電子頭部品牌對國產氮化鎵功率器件技術實力的認可。隨著AI PC、高性能筆記本電腦以及新一代消費電子設備對高功率快充需求持續增長,氮化鎵技術正在加速向更高功率等級應用延伸。對于鎵未來而言,此次產品落地不僅展示了其GaN器件在高端消費電子領域的應用能力,也有望進一步推動其在快充、電源適配器及高效能源轉換市場的布局拓展。
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