如今AI算力與日俱增，但是一直存在諸多制約，其中很?chē)?yán)重的一點(diǎn)就是“內(nèi)存墻”，也就是內(nèi)存帶寬提升的速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上算力需求，即便是HBM高帶寬內(nèi)存也經(jīng)常力不從心，而且HBM的發(fā)熱越來(lái)越嚴(yán)重。
高通在投資者日上公開(kāi)了新的高帶寬計(jì)算近內(nèi)存架構(gòu)“HBC”，嘗試突破內(nèi)存墻，從而讓特定AI負(fù)載實(shí)現(xiàn)性能的線性提升。
HBC內(nèi)存架構(gòu)其實(shí)并不復(fù)雜：它將AI加速器從SoC系統(tǒng)芯片中單獨(dú)拿出來(lái)，堆疊在LPDDR內(nèi)存堆棧之下，彼此通過(guò)TSV硅通孔直連。
這么做可以將延遲降低到SRAM級(jí)別，還能獲得堆疊內(nèi)存的高密度、大容量，又避開(kāi)了HBM內(nèi)存復(fù)雜的封裝工藝、高昂的設(shè)計(jì)成本、巨大的功耗發(fā)熱，比如不需要硅中介層。
當(dāng)然了，絕對(duì)帶寬、容量肯定不如HBM，高通也沒(méi)有公布具體數(shù)值，只是說(shuō)單位功耗帶寬是HBM的5-7倍，容量是片上SRAM的200倍以上。
不過(guò)，高通的這種設(shè)計(jì)思路并非“原創(chuàng)”，很多存儲(chǔ)廠商也都在研究近內(nèi)存計(jì)算架構(gòu)，但都未能大規(guī)模落地。
比如ASIC廠商智邦集成電路(GUC)近期推出了DRAM-on-Logic(DoL)技術(shù)，在邏輯芯片上堆疊1-4層DRAM，帶寬可達(dá)約5TB/s，甚至性能優(yōu)于部分HBM3E。
根據(jù)路線圖，高通Dragonfly(飛龍)系列AI加速器將在今年推出“AI200”，搭配傳統(tǒng)LPDDR5X內(nèi)存，容量最高達(dá)43TB，可風(fēng)冷，可液冷。
第一代HBC產(chǎn)品“AI250”明年亮相，最大容量還是43TB，有效帶寬對(duì)比AI200提升多達(dá)18倍。
第二代HBC產(chǎn)品“AI300”后年跟進(jìn)，具體容量沒(méi)說(shuō)，只強(qiáng)調(diào)會(huì)增強(qiáng)擴(kuò)展能力，帶寬對(duì)比AI200提升足足54倍。
安蒙表示，高通計(jì)劃將旗下四大數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品全部引入中國(guó)，包括AI加速器、數(shù)據(jù)中心CPU、定制芯片和連接芯片，面向中國(guó)市場(chǎng)的產(chǎn)品將按照美國(guó)出口管制要求進(jìn)行專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)。
他在會(huì)議間隙對(duì)媒體表示，高通在中國(guó)擁有龐大的業(yè)務(wù)，隨著公司業(yè)務(wù)多元化推進(jìn)，與中國(guó)及中國(guó)客戶(hù)的合作關(guān)系也在擴(kuò)大，與中國(guó)智能手機(jī)制造商和汽車(chē)企業(yè)的關(guān)系都將是高通在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。
安蒙說(shuō)，與中國(guó)智能手機(jī)制造商和汽車(chē)企業(yè)的關(guān)系都將是“我們?cè)跀?shù)據(jù)中心領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)”。
關(guān)于出口管制，安蒙表示美國(guó)對(duì)向中國(guó)出口芯片有明確規(guī)定，但仍不打算放棄中國(guó)市場(chǎng)，高通將推出符合相關(guān)規(guī)則的版本，“我們正在積極溝通，目前獲得的反饋?zhàn)屓烁械綐?lè)觀”。
他指出，中國(guó)已經(jīng)成為全球AI智能體創(chuàng)新最活躍的地區(qū)之一，從智能手機(jī)、眼鏡到汽車(chē)，各平臺(tái)都涌現(xiàn)出新的AI應(yīng)用場(chǎng)景。
他坦言，現(xiàn)在談到中國(guó)市場(chǎng)時(shí)甚至已經(jīng)分不清誰(shuí)才是真正的移動(dòng)終端客戶(hù)，除了傳統(tǒng)原始設(shè)備制造商之外，幾乎所有開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)大模型、構(gòu)建AI智能體的公司都將是高通的客戶(hù)。
今年以來(lái)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格飆升導(dǎo)致全球智能手機(jī)出貨量可能出現(xiàn)有史以來(lái)最大的年度降幅，高通從手機(jī)廠商處獲得的訂單充滿不確定性。
高通正致力于打入數(shù)據(jù)中心芯片市場(chǎng)，目前大部分收入仍來(lái)自移動(dòng)芯片，但到2029財(cái)年，該公司智能手機(jī)芯片收入預(yù)計(jì)將僅占總收入的三分之一，而數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品將與智能手機(jī)芯片收入持平。
兩款芯片均采用臺(tái)積電2nm工藝制造，這也是高通旗下首款2nm制程的手機(jī)芯片。二者均配備自研Oryon CPU，采用2+3+3的八核心架構(gòu)設(shè)計(jì)。
其中驍龍8E6 Pro共享16MB L2緩存，集成Adreno 850 GPU，并支持LPDDR6內(nèi)存，峰值性能更為突出；而驍龍8E6同樣共享16MB L2緩存，但集成的是Adreno 845 GPU，支持LPDDR5X內(nèi)存，頻率較驍龍8E6 Pro略低，在性能與功耗之間更側(cè)重平衡。
值得一提的是，受臺(tái)積電2nm制程工藝成本飆升影響，高通下一代旗艦芯片驍龍8E6系列或?qū)⒂瓉?lái)大幅漲價(jià)。供應(yīng)鏈消息顯示，上代驍龍8E5單顆成本已達(dá)280美元，而采用2nm工藝的驍龍8E6 Pro單片成本預(yù)計(jì)上漲20%，直接突破300美元大關(guān)，成本攀升或?qū)⑼苿?dòng)安卓旗艦迎來(lái)新一輪漲價(jià)潮。
作為首發(fā)機(jī)型，小米18系列同時(shí)獲得了驍龍8E6和驍龍8E6 Pro的首發(fā)權(quán)。其中小米18 Pro將首發(fā)搭載驍龍8E6標(biāo)準(zhǔn)版，小米18 Pro Max則首發(fā)搭載驍龍8E6 Pro。至于標(biāo)準(zhǔn)版小米18，該機(jī)將延后發(fā)布，不會(huì)在9月亮相。
