在全球能源結構加速向低碳化轉型的背景下，英飛凌持續推動綠色能源關鍵技術創新。
在本次展會的能源基礎設施展區，將重點呈現以下技術亮點：
亮點1：
基于CoolSiC? 和CoolGaN?的光伏逆變器方案集中展示
圍繞高效光伏發電與電能轉換應用，英飛凌展示覆蓋 500 W 至 10 kW 功率段的多款逆變器參考設計，全面采用 SiC 與 GaN 寬禁帶半導體器件。
通過創新拓撲與寬禁帶半導體器件協同設計，實現系統效率提升、功率密度優化及整機體積縮減，滿足分布式光伏及高效電源系統對性能與可靠性的綜合需求。
亮點2：
基于QDPAK 封裝的1200V CoolSiC? JFET 發布
英飛凌正式推出基于 QDPAK 封裝的 1200 V CoolSiC? JFET，該系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。
得益于強大的短路耐受能力、線性模式下的熱穩定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業和汽車應用中實現可靠且高效的系統性能，包括固態斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。
此外，展會還將展示用于常閉型固態配電應用的 CoolSiC? JFET 1200 V Cascode評估板，常通型評估板及其配套輔助電源評估方案，便于工程師進行系統級驗證與設計參考。
展會期間，英飛凌還將參與同期舉辦的國際電機驅動技術論壇，分享前沿技術洞察：
該議題將重點探討以碳化硅為代表的寬禁帶半導體，如何在電機驅動系統中實現更高效率、更高功率密度及更優系統性能，助力工業自動化與高效電氣化發展。
演講主題：
《寬禁帶半導體技術在電機驅動中的應用》
??時間：7月2日 11:30-12:00
??地點：N3館現場論壇區（N3.379展位）
演講人
陳立烽
英飛凌科技工業與基礎設施業務
大中華區技術市場負責人
演講內容簡介：
本演講重點介紹以GaN為代表的寬禁帶器件在電機驅動中的應用潛力。首先，闡述其相較傳統硅基器件在開關速度、損耗及熱性能方面的優勢；隨后，分析其在電機驅動中的價值，包括提升系統效率、提高功率密度及優化體積與重量。結合典型應用實例，展示其在高性能驅動中的實際效果與工程價值，并簡要探討應用中的設計與系統集成挑戰，最后展望其發展前景。
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